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面接触型或称面积型二管的PN结是用合金法或扩散法做成的,由于这种二管的PN结面积大,可承受较大电流,但间电容也大。这类器件适用于整流,而不宜用于高频率电路中。键型二管是在锗或硅的单晶片上熔接或银的细丝而形成的。其特性介于点接触型二管和合金型二管之间。与点接触型相比较,虽然键型二管的PN结电容量稍有增加,但正向特性优良。多作开关用,有时也被应用于检波和电源整流(不大于50mA)。在键型二管中,熔接金丝的二管有时被称金键型,熔接银丝的二管有时被称为银键型。
使用电感对电源电路隔离也是比较常用的方法,在很多时候,我们需要把几个电源相互隔离以防其相互干扰,这时候常使用的器件就是电感(有时会使用0Ω电阻代替)。是一个单片机小系统的一部分原理图,在图中我们可以看到。为了把单片机的数字地和模拟地进行隔离,使用了一个10uH的电感,以这两个电源的相对独立。在单片机外围电路中,二管的应用也广泛,而且二管根据其应用不同,种类繁多,下面我们主要谈谈发光二管、续流二管、整流二管、限幅二管等。
光电二极管与其他类型的光探测器一样,在诸如光敏电阻、感光耦合元件以及光电倍增管等设备中有着广泛应用。它们能够根据所受光的照度来输出相应的模拟电信号(例如测量仪器)或者在数字电路的不同状态间切换(例如控制开关、数字信号处理)。
早期的二管包含“猫须晶体("Cat'sWhisker"Crystals)”以及真空管(英国称为“热游离阀(ThermionicValves)”)。现今普遍的二管大多是使用半导体材料如硅或锗。外加正向电压时,在正向特性的起始部分,正向电压很小,不足以克服PN结内电场的阻挡作用,正向电流几乎为零,这一段称为死区。这个不能使二管导通的正向电压称为死区电压。当正向电压大于死区电压以后,PN结内电场被克服,二管正向导通,电流随电压增大而迅速上升。在正常使用的电流范围内,导通时二管的端电压几乎维持不变,这个电压称为二管的正向电压。当二管两端的正向电压超过一定数值Vth,内电场很快被削弱,电流迅速增长,二管正向导通。Vth叫做门坎电压或阈值电压,硅管约为0.5V,锗管约为0.1V。硅二管的正向导通压降约为0.6~0.8V,锗二管的正向导通压降约为0.2~0.3V。
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