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开关电路完成了,那么负载应该放在什么地方呢?对于这个电路,负载的放置有两种方式:上图上边是开路集电电路,跟负载使用电源没有关系,只要基有电压,电路就能工作;而上图下边的是开路发射,基电压与负载电源是有关系的,输出电压要比输入电压低0.6V。所以,这两种开关电路各有优缺点。上边电路的开关速度不够高,还通过添加其他器件来提高其开关速度。而下边电路的开关速度却快,但输入电源和输出电源有关联。
光敏二极管是将光信号变成电信号的半导体器件。它的核心部分也是一个PN结,和普通二极管相比,在结构上不同的是,为了便于接受入射光照,PN结面积尽量做的大一些,电极面积尽量小些,而且PN结的结深很浅,一般小于1微米。
究竟指的是什么?在看一些元器件的DATASHEET文件时,经常会碰到元器件的参数,IOL,IOH,IIL,IIH,我也知道他们指的是输入输出高低电平时的大小电流,但在连接时他们之间的匹配问题一直很模糊,如:IOL=1.5MA;IOH=-300UA你所说的个器件表示在输出低电平的时候可以吸收(流入)1.5mA电流,输出为高电平的时候,可以输出300uA电流。第二个器件表示在输入低的时候会流出100uA电流,输入高的时候将吸收10uA电流。|IOL|>|IIL|,|IOH|>|IIH|,就表示输出器件可以带动输入器件。
管子不导通处于“死区”状态,当正向电压起过一定数值后,管子才导通,电压再稍微增大,电流急剧暗加(见曲线I段)。不同材料的二管,起始电压不同,硅管为0.5-.7伏左右,锗管为0.1-0.3左右。反向特性二管两端加上反向电压时,反向电流很小,当反向电压逐渐增加时,反向电流基本保持不变,这时的电流称为反向饱和电流(见曲线II段)。不同材料的二管,反向电流大小不同,硅管约为1微安到几十微安,锗管则可高达数百微安,另外,反向电流受温度变化的影响很大,锗管的稳定性比硅管差。击穿特性当反向电压增加到某一数值时,反向电流急剧增大,这种现象称为反向击穿(见曲线III)。这时的反向电压称为反向击穿电压,不同结构、工艺和材料制成的管子,其反向击穿电压值差异很大,可由1伏到几百伏,甚至高达数千伏。
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