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对于场效应管来说,在大学期间老师基本没有讲,让自己自学。到了工作的时候,我们发现场效应管应用还是比较广泛的。其实场效应管和三管还是很相似的。在很多应用中,甚至可以直接贴换三管。场效应晶体管(FieldEffectTransistor缩写(FET))简称场效应管。由多数载流子参与导电,也称为单型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(10^7~10^12Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、工作区域宽等优点,现已成为双型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
与双型晶体管相比,场效应管具有如下特点。场效应管是电压控制器件,它通过VGS(栅源电压)来控制ID(漏电流);场效应管的控制输入端电流小,因此它的输入电阻(Ω)很大。它是利用多数载流子导电,因此它的温度稳定性较好;它组成的放大电路的电压放大系数要小于三管组成放大电路的电压放大系数;场效应管的抗辐射能力强;由于不存在杂乱运动的电子扩散引起的散粒噪声,所以噪声低。场效应管是电压控制元件,而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下,应选用场效应管;而在信号电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应选用晶体管。场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单型器件,而晶体管是既有多数载流子,也利用少数载流子导电,被称之为双型器件。
光敏二极管是电子电路中广泛采用的光敏器件。光敏二极管和普通二极管一样具有一个PN结,不同之处是在光敏二极管的外壳上有一个透明的窗口以接收光线照射,实现光电转换,在电路图中文字符号一般为VD。
下面的继电器开关电路当开关的负载为继电器或电动机等电感性负载时,在截断流过负载的电流时(晶体管进入截止状态)会产生反向电动势。这时产生的电压大。当这种电压超过晶体管的集电-基间、集电-发射机间电压的大额定值Vcbo、Vceo时,晶体管将会被击穿。并联续流二管后,而与二管与继电器形成闭合回路,可以放掉继电器线圈产生的高达140V的反向电压,从而集电电位不高于电源电压的0.6V,而晶体管被击穿。
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