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面接触型或称面积型二管的PN结是用合金法或扩散法做成的,由于这种二管的PN结面积大,可承受较大电流,但间电容也大。这类器件适用于整流,而不宜用于高频率电路中。键型二管是在锗或硅的单晶片上熔接或银的细丝而形成的。其特性介于点接触型二管和合金型二管之间。与点接触型相比较,虽然键型二管的PN结电容量稍有增加,但正向特性优良。多作开关用,有时也被应用于检波和电源整流(不大于50mA)。在键型二管中,熔接金丝的二管有时被称金键型,熔接银丝的二管有时被称为银键型。
早期的二管包含“猫须晶体("Cat'sWhisker"Crystals)”以及真空管(英国称为“热游离阀(ThermionicValves)”)。现今普遍的二管大多是使用半导体材料如硅或锗。外加正向电压时,在正向特性的起始部分,正向电压很小,不足以克服PN结内电场的阻挡作用,正向电流几乎为零,这一段称为死区。这个不能使二管导通的正向电压称为死区电压。当正向电压大于死区电压以后,PN结内电场被克服,二管正向导通,电流随电压增大而迅速上升。在正常使用的电流范围内,导通时二管的端电压几乎维持不变,这个电压称为二管的正向电压。当二管两端的正向电压超过一定数值Vth,内电场很快被削弱,电流迅速增长,二管正向导通。Vth叫做门坎电压或阈值电压,硅管约为0.5V,锗管约为0.1V。硅二管的正向导通压降约为0.6~0.8V,锗二管的正向导通压降约为0.2~0.3V。
它们在反向电压作用下参加漂移运动,使反向电流明显变大,光的强度越大,反向电流也越大。这种特性称为“光电导”。光敏二极管在一般照度的光线照射下,所产生的电流叫光电流。如果在外电路上接上负载,负载上就获得了电信号,而且这个电信号随着光的变化而相应变化。
w=0.5cuu一个电容器,如果带1库的电量时两级间的电势差是1伏,这个电容器的电容就是1法,即:C=Q/U但电容的大小不是由Q(带电量)或U(电压)决定的,即:C=εS/4πkd。其中,ε是一个常数,S为电容板的正对面积,d为电容板的距离,k则是静电力常量。常见的平行板电容器,电容为C=εS/d(ε为板间介质的介电常数,S为板面积,d为板间的距离)。定义式:C=Q/U电容器的电势能计算公式:E=CU^2/2=QU/2=Q^2/2C多电容器并联计算公式:C=C1+C2+C3+…+Cn多电容器串联计算公式:1/C=1/C1+1/C2+…+1/Cn三电容器串联:C=(C1*C2*C3)/(C1*C2+C2*C3+C1*C3)电容是指容纳电场的能力。静电场都是由许多个电容组成,有静电场就有电容,电容是用静电场描述的。一般认为:孤立导体与无穷远处构成电容,导体接地等效于接到无穷远处,并与大地连接成整体。
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