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安徽光耦生产厂家
半导体三管又称“晶体三管”或“晶体管”。在半导体锗或硅的单晶上制备两个能相互影响的PN结,组成一个PNP(或NPN)结构。中间的N区(或P区)叫基区,两边的区域叫发射区和集电区,这三部分各有一条电引线,分别叫基B、发射E和集电C,是能起放大、振荡或开关等作用的半导体电子器件。晶体三管(以下简称三管)按材料分有两种:锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式,但使用多的是硅NPN和锗PNP两种三管,(其中,N表示在高纯度硅中加入磷,是指取代一些硅原子,在电压刺激下产生自由电子导电,而p是加入硼取代硅,产生大量空穴利于导电)。两者除了电源性不同外,其工作原理都是相同的,下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。对于NPN管,它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成,发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射e、基b和集电c。
结型光电二极管一般不用来测量很低的光强。如果弱光情况下需要高灵敏度探测器,雪崩光电二极管、感光耦合元件或者光电倍增管就能发挥作用,例如天文学、光谱学、夜视设备、激光测距仪等应用产品。
如何提高开关速度上面提到开路集电电路的大缺点就是开关速度不够快,在需要开关时,达不到我们的要求,为此下面我们看看怎么来提高其开关速度。由于基限流电路的作用,导致其开关速度受限。为此给限流电阻R1并联一个小容量的电容器。这样,当输入信号上升、下降时能够使R1电阻瞬间被旁路并提供基电流,从而消除开关时间滞后。提高三管开关速度的另外一种方法是添加肖特基二管箍位。这里利用的是这种二管是采用金属与半导体接触形成具有整流作用,这种二管的开关速度很快。
我们通常所说的“续流二管”由于在电路中起到续流的作用而得名,一般选择恢复二管或者肖特基二管来作为“续流二管”,它在电路中一般用来保护元件不被感应电压击穿或烧坏,以并联的方式接到产生感应电动势的元件两端,并与其形成回路,使其产生的高电动势在回路以续电流方式消耗,从而起到保护电路中的元件不被损坏的作用。续流二管经常和储能元件一起使用,电压电流突变,提供通路。电感可以经过它给负载提供持续的电流,以免负载电流突变,起到平滑电流的作用。在开关电源中,就能见到一个由二管和电阻串连起来构成的的续流电路。这个电路与变压器原边并联。当开关管关断时,续流电路可以释放掉变压器线圈中储存的能量,感应电压过高,击穿开关管。一般选择恢复二管或者肖特基二管就可以了,用来把线圈产生的反向电势通过电流的形式消耗掉,可见“续流二管”并不是一个实质的元件,它只不过在电路中起到的作用称做“续流”。
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