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湖南EVERLIGHT光敏二极管型号厂家直销
在半导体单晶片(主要地是N型硅单晶片)上,扩散P型杂质,利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用,在N型硅单晶片上仅选择性地扩散一部分而形成的PN结。因此,不需要为调整PN结面积的品腐蚀作用。由于半导体表面被制作得平整,故而得名。并且,PN结合的表面,因被氧化膜覆盖,所以公认为是稳定性好和寿命长的类型。初,对于被使用的半导体材料是采用外延法形成的,故又把平面型称为外延平面型。对平面型二管而言,似乎使用于大电流整流用的型号很少,而作小电流开关用的型号则很多。
当线圈中有电流通过时,线圈的周围就会产生磁场。当线圈中电流发生变化时,其周围的磁场也产生相应的变化,此变化的磁场可使线圈自身产生感应电动势(感生电动势)(电动势用以表示有源元件理想电源的端电压),这就是自感。两个电感线圈相互靠近时,一个电感线圈的磁场变化将影响另一个电感线圈,这种影响就是互感。互感的大小取决于电感线圈的自感与两个电感线圈耦合的程度,利用此原理制成的元件叫做互感器。电感单位:亨(H)、毫亨(mH)、微亨(μH),换算关系为1H=10^3mH=10^6μH=10^9nH。换算:数值X10的n次方如103即为10X10的三次方nh为10uh除此外还有一般电感和精密电感之分一般电感:误差值为20%,用M表示;误差值为10%,用K表示。精密电感:误差值为5%,用J表示;误差值为1%,用F表示。如:100M,即为10μH,误差20%。
所有类型的光传感器都可以用来检测突发的光照,或者探测同一电路系统内部的发光。光电二极管常常和发光器件(通常是发光二极管)被合并在一起组成一个模块,这个模块常被称为光电耦合元件。
管子不导通处于“死区”状态,当正向电压起过一定数值后,管子才导通,电压再稍微增大,电流急剧暗加(见曲线I段)。不同材料的二管,起始电压不同,硅管为0.5-.7伏左右,锗管为0.1-0.3左右。反向特性二管两端加上反向电压时,反向电流很小,当反向电压逐渐增加时,反向电流基本保持不变,这时的电流称为反向饱和电流(见曲线II段)。不同材料的二管,反向电流大小不同,硅管约为1微安到几十微安,锗管则可高达数百微安,另外,反向电流受温度变化的影响很大,锗管的稳定性比硅管差。击穿特性当反向电压增加到某一数值时,反向电流急剧增大,这种现象称为反向击穿(见曲线III)。这时的反向电压称为反向击穿电压,不同结构、工艺和材料制成的管子,其反向击穿电压值差异很大,可由1伏到几百伏,甚至高达数千伏。
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