湖南光耦pc817

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　　半导体三管又称“晶体三管”或“晶体管”。在半导体锗或硅的单晶上制备两个能相互影响的PN结，组成一个PNP（或NPN）结构。中间的N区（或P区）叫基区，两边的区域叫发射区和集电区，这三部分各有一条电引线，分别叫基B、发射E和集电C，是能起放大、振荡或开关等作用的半导体电子器件。晶体三管（以下简称三管）按材料分有两种:锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用多的是硅NPN和锗PNP两种三管，（其中，N表示在高纯度硅中加入磷，是指取代一些硅原子，在电压刺激下产生自由电子导电，而p是加入硼取代硅，产生大量空穴利于导电）。两者除了电源性不同外，其工作原理都是相同的，下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。对于NPN管，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间形成的PN结称为发射结，而集电区与基区形成的PN结称为集电结，三条引线分别称为发射e、基b和集电c。

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　　场效应管的开关电路应用广泛，由于其为电压控制型，而且内阻小，常常应用在各种大电流开关控制电路中。例如，热敏微型打印机电源开关、外部电源输出开关等等。简单的说，一般小电流开关电路可以适用三管，大电流开关电路使用场效应管，这里就不在列举实例了。和三管一样，其开关并不是对的，虽然说，在一定的工作电压下，场效应管就处于开关状态。但它的开关状态并不是没有内阻，其内阻的变化一般都是跟随其外部电压的大小而变化。所以，为了减小其内阻，应尽量加大其开关电压值。具体多大合适一定要查询芯片资料。

　　光敏二极管是电子电路中广泛采用的光敏器件。光敏二极管和普通二极管一样具有一个PN结，不同之处是在光敏二极管的外壳上有一个透明的窗口以接收光线照射，实现光电转换，在电路图中文字符号一般为VD。

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　　不管什么样的三管，其实其工作原理是一致的，从外部看来，因为在基输入了一个小电流被变化而出现在集电和发射之间就出现了一个被放大的电流。三管实际上可以这样理解，在三管的基和发射之间加入了二管，当三管工作时，基与发射之间的二管的正向压降为0.6~0.7V。反过来可以这样理解，要让三管工作，实际上可以让三管里边的二管工作，当这个二管工作了，那么三管以就工作了。而且从上图可以看出，由箭头可以看出PN的方向，同时由这个PN结就可以确定管子的类型为NPN，还是PNP了。例如上图的个三管基的PN结的P，发射是PN结的N，故集电应该为N，所以，个三管为NPN型，同样的方法可以确定第2个三管为PNP。