西藏全波谱光敏管排名

　　西藏全波谱光敏管排名

　　上拉电阻是用来解决总线驱动能力不足时提供电流的问题的。一般说法是上拉增大电流，下拉电阻是用来吸收电流。在外设没有收到控制时，我们需要把某一外设或单片机I/O端口固定在某一固定电平上时，需要根据需要接上下拉电阻，例如:对于按键输入来说，在没有按下按键时，如果没有上拉电阻的存在，单片机端口将处于悬乎状态，没有确定电平，当然如果有内部上拉电阻的单片机除外，加上上拉电阻会，在没有按键时，单片机端口保持高电平，有按键时，单片机端口将输入低电平。而对于蜂鸣器来说，由于和按键有同样的效果，不加上拉电阻，无法区别在没有单片机控制时，三管的工作状态，所以，加上上拉电阻以保障无单片机控制时，三管截止，蜂鸣器不工作。

　　光敏二极管是在反向电压作用之下工作的。没有光照时，反向电流很小（一般小于0.1微安），称为暗电流。当有光照时，携带能量的光子进入PN结后，把能量传给共价键上的束缚电子，使部分电子挣脱共价键，从而产生电子---空穴对，称为光生载流子。

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　　带开关的电位器有旋转式开关电位器、推拉式开关电位器、推推开关式电位器预调式电位器在电路中，一旦调试好，用蜡封住调节位置，在一般情况下调节。采用直滑方式改变电阻值。有异轴双连电位器和同轴双连电位器无触点电位器消除了机械接触，寿命长、性高，分光电式电位器、磁敏式电位器等。用碳质颗粒壮导电物质、填料和粘合剂混合制成一个实体的电阻器。特点:价格低廉，但其阻值误差、噪声电压都大，稳定性差，目前较少用。

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　　半导体三管又称“晶体三管”或“晶体管”。在半导体锗或硅的单晶上制备两个能相互影响的PN结，组成一个PNP（或NPN）结构。中间的N区（或P区）叫基区，两边的区域叫发射区和集电区，这三部分各有一条电引线，分别叫基B、发射E和集电C，是能起放大、振荡或开关等作用的半导体电子器件。晶体三管（以下简称三管）按材料分有两种:锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用多的是硅NPN和锗PNP两种三管，（其中，N表示在高纯度硅中加入磷，是指取代一些硅原子，在电压刺激下产生自由电子导电，而p是加入硼取代硅，产生大量空穴利于导电）。两者除了电源性不同外，其工作原理都是相同的，下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。对于NPN管，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间形成的PN结称为发射结，而集电区与基区形成的PN结称为集电结，三条引线分别称为发射e、基b和集电c。