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究竟指的是什么?在看一些元器件的DATASHEET文件时,经常会碰到元器件的参数,IOL,IOH,IIL,IIH,我也知道他们指的是输入输出高低电平时的大小电流,但在连接时他们之间的匹配问题一直很模糊,如:IOL=1.5MA;IOH=-300UA你所说的个器件表示在输出低电平的时候可以吸收(流入)1.5mA电流,输出为高电平的时候,可以输出300uA电流。第二个器件表示在输入低的时候会流出100uA电流,输入高的时候将吸收10uA电流。|IOL|>|IIL|,|IOH|>|IIH|,就表示输出器件可以带动输入器件。
结型光电二极管一般不用来测量很低的光强。如果弱光情况下需要高灵敏度探测器,雪崩光电二极管、感光耦合元件或者光电倍增管就能发挥作用,例如天文学、光谱学、夜视设备、激光测距仪等应用产品。
电感的作用还有筛选信号、过滤噪声、稳定电流及抑制电磁波干扰等重要的作用。电感的主要参数有电感量、允许偏差、品质因数、分布电容及额定电流等。电感量也称自感系数,是表示电感器产生自感应能力的一个物理量。电感器电感量的大小,主要取决于线圈的圈数(匝数)、绕制方式、有无磁心及磁心的材料等等。通常,线圈圈数越多、绕制的线圈越密集,电感量就越大。有磁心的线圈比无磁心的线圈电感量大;磁心导磁率越大的线圈,电感量也越大。
外加反向电压不超过一定范围时,通过二管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小,二管处于截止状态。这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流,二管的反向饱和电流受温度影响很大。一般硅管的反向电流比锗管小得多,小功率硅管的反响饱和电流在nA数量级,小功率锗管在μA数量级。温度升高时,半导体受热激发,少数截流子数目增加,反向饱和电流也随之增加。二管种类有很多,按照所用的半导体材料,可分为锗二管(Ge管)和硅二管(Si管)。根据其不同用途,可分为检波二管、整流二管、稳压二管、开关二管、隔离二管、肖特基二管、发光二管、硅功率开关二管、旋转二管等。按照管芯结构,又可分为点接触型二管、面接触型二管及平面型二管。点接触型二管是用一根很细的金属丝压在光洁的半导体晶片表面,通以脉冲电流,使触丝一端与晶片牢固地烧结在一起,形成一个“PN结”。由于是点接触,只允许通过较小的电流(不超过几十毫安),适用于高频小电流电路,如收音机的检波等。面接触型二管的“PN结”面积较大,允许通过较大的电流(几安到几十安),主要用于把交流电变换成直流电的“整流”电路中。平面型二管是一种特制的硅二管,它不仅能通过较大的电流,而且性能稳定,多用于开关、脉冲及高频电路中。
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