甘肃全波谱光敏管基本特性

　　甘肃全波谱光敏管基本特性

　　利用某些半导体吸收某种气体后发生氧化还原反应制成，主要成分是金属氧化物，主要品种有:金属氧化物气敏电阻、复合氧化物气敏电阻、陶瓷气敏电阻等。力敏电阻是一种阻值随压力变化而变化的电阻，国外称为压电电阻器。所谓压力电阻效应即半导体材料的电阻率随机械应力的变化而变化的效应。可制成各种力矩计，半导体话筒，压力传感器等。主要品种有硅力敏电阻器，硒碲合金力敏电阻器，相对而言，合金电阻器具有更高灵敏度。

　　甘肃全波谱光敏管基本特性

　　光电二极管在消费电子产品，例如CD播放器、烟雾探测器以及控制电视机、空调的红外线遥控设备中也有应用。对于许多应用产品来说，可以使用光电二极管或者其他光导材料。它们都可以被用于测量光，常常工作在照相机的测光器、路灯亮度自动调节等。

　　早期的二管包含“猫须晶体（"Cat'sWhisker"Crystals）”以及真空管(英国称为“热游离阀（ThermionicValves）”)。现今普遍的二管大多是使用半导体材料如硅或锗。外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服PN结内电场的阻挡作用，正向电流几乎为零，这一段称为死区。这个不能使二管导通的正向电压称为死区电压。当正向电压大于死区电压以后，PN结内电场被克服，二管正向导通，电流随电压增大而迅速上升。在正常使用的电流范围内，导通时二管的端电压几乎维持不变，这个电压称为二管的正向电压。当二管两端的正向电压超过一定数值Vth，内电场很快被削弱，电流迅速增长，二管正向导通。Vth叫做门坎电压或阈值电压，硅管约为0.5V，锗管约为0.1V。硅二管的正向导通压降约为0.6~0.8V，锗二管的正向导通压降约为0.2~0.3V。

　　甘肃全波谱光敏管基本特性

　　自举升压电容:利用电容器的充、放电储能特性提升电路某点的电位，使该点电位达到供电端电压值的2倍。消亮点电容:设置在视放电路中，用于关机时消除显像管上残余亮点的电容。软启动电容:一般接在开关电源的开关管基上，在开启电源时，过大的浪涌电流或过高的峰值电压加到开关管基上，导致开关管损坏。启动电容:串接在单相电动机的副绕组上，为电动机提供启动移相交流电压，在电动机正常运转后与副绕组断开。运转电容:与单相电动机的副绕组串联，为电动机副绕组提供移相交流电流。在电动机正常运行时，与副绕组保持串接。电容的应用很广泛，其中为常见的就是去耦电容。该一般应用在电源的旁边，作为是为了降低电源对地的交流阻抗（也称为旁路电容）。在没有这个电容时，电路的交流特性变得很奇特，严重时电路产生振荡。为此，单片机及其他外围器件的每一个电源输入脚都应该加上一个旁路电容。电容的阻抗为1/(2π*f*C)，频率越高，阻抗应该越小。在结构上，小容量的电容器在高的频率处，而大容量的电容器则在较低的频率处，电容的阻抗变得。因此，在电源上并联一个小容量电容和一个大容量电容是很有必要的，这样在很宽的频率范围降低电源对地的阻抗。