河南EVERLIGHT光敏二极管二极管和红外接收管区别
面接触型或称面积型二管的PN结是用合金法或扩散法做成的，由于这种二管的PN结面积大，可承受较大电流，但间电容也大。这类器件适用于整流，而不宜用于高频率电路中。键型二管是在锗或硅的单晶片上熔接或银的细丝而形成的。其特性介于点接触型二管和合金型二管之间。与点接触型相比较，虽然键型二管的PN结电容量稍有增加，但正向特性优良。多作开关用，有时也被应用于检波和电源整流（不大于50mA）。在键型二管中，熔接金丝的二管有时被称金键型，熔接银丝的二管有时被称为银键型。
河南EVERLIGHT光敏二极管二极管和红外接收管区别
半导体三管又称“晶体三管”或“晶体管”。在半导体锗或硅的单晶上制备两个能相互影响的PN结，组成一个PNP（或NPN）结构。中间的N区（或P区）叫基区，两边的区域叫发射区和集电区，这三部分各有一条电引线，分别叫基B、发射E和集电C，是能起放大、振荡或开关等作用的半导体电子器件。晶体三管（以下简称三管）按材料分有两种:锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用多的是硅NPN和锗PNP两种三管，（其中，N表示在高纯度硅中加入磷，是指取代一些硅原子，在电压刺激下产生自由电子导电，而p是加入硼取代硅，产生大量空穴利于导电）。两者除了电源性不同外，其工作原理都是相同的，下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。对于NPN管，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间形成的PN结称为发射结，而集电区与基区形成的PN结称为集电结，三条引线分别称为发射e、基b和集电c。
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热敏电阻是敏感元件的一类,其电阻值会随着热敏电阻本体温度的变化呈现出阶跃性的变化,具有半导体特性.热敏电阻按照温度系数的不同分为:正温度系数热敏电阻(简称PTC热敏电阻)负温度系数热敏电阻(简称NTC热敏电阻)正温度热敏电阻(PTCThermistor)PTC是PositiveTemperatureCoefficient的缩写,意思是正的温度系数,泛指正温度系数很大的半导体材料或元器件.通常我们提到的PTC是指正温度系数热敏电阻,简称PTC热敏电阻.
光电二极管是在反向电压作用下工作的，没有光照时，反向电流极其微弱（一般小于0.1微安），叫暗电流；有光照时，反向电流迅速增大到几十到上百微安，称为光电流。光的强度越大，反向电流也越大。光的变化引起光电二极管电流变化，这就可以把光信号转换成电信号，成为光电传感器件。