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早期的二管包含“猫须晶体("Cat'sWhisker"Crystals)”以及真空管(英国称为“热游离阀(ThermionicValves)”)。现今普遍的二管大多是使用半导体材料如硅或锗。外加正向电压时,在正向特性的起始部分,正向电压很小,不足以克服PN结内电场的阻挡作用,正向电流几乎为零,这一段称为死区。这个不能使二管导通的正向电压称为死区电压。当正向电压大于死区电压以后,PN结内电场被克服,二管正向导通,电流随电压增大而迅速上升。在正常使用的电流范围内,导通时二管的端电压几乎维持不变,这个电压称为二管的正向电压。当二管两端的正向电压超过一定数值Vth,内电场很快被削弱,电流迅速增长,二管正向导通。Vth叫做门坎电压或阈值电压,硅管约为0.5V,锗管约为0.1V。硅二管的正向导通压降约为0.6~0.8V,锗二管的正向导通压降约为0.2~0.3V。
结型光电二极管一般不用来测量很低的光强。如果弱光情况下需要高灵敏度探测器,雪崩光电二极管、感光耦合元件或者光电倍增管就能发挥作用,例如天文学、光谱学、夜视设备、激光测距仪等应用产品。
耦合电容利用了电容为主要的一个特性:隔直传交。通过这一特性,可以很好的把直流电路与交流电路进行耦合,以保障其相互协调工作。对于单片机外围电路来说,使用比较多的耦合电容是,单片机需要与交流信号进行通信的地方,例如:ADC和DAC。在AD于DA电路上,我们需要把数字信号和模拟信号进行相互转换,为保障数字喜欢与模拟喜欢的互不干涉,我们往往需要在单片机的输入端或输出端串联一个电容,对电路进行耦合。
电子元器件基础知识导电体对电流的阻碍作用称为电阻,用符号R表示,单位为欧姆、千欧、兆欧,分别用Ω、KΩ、MΩ表示。一、电阻的型号命名方法:国产电阻器的型号由四部分组成(不适用敏感电阻)主称,用字母表示,表示产品的名字。如R表示电阻,W表示电位器。材料,用字母表示,表示电阻体用什么材料组成,T-碳膜、H-合成碳膜、S-有机实心、N-无机实心、J-金属膜、Y-氮化膜、C-沉积膜、I-玻璃釉膜、X-线绕。
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