甘肃光敏管合

　　甘肃光敏管合

　　场效应管的开关电路应用广泛，由于其为电压控制型，而且内阻小，常常应用在各种大电流开关控制电路中。例如，热敏微型打印机电源开关、外部电源输出开关等等。简单的说，一般小电流开关电路可以适用三管，大电流开关电路使用场效应管，这里就不在列举实例了。和三管一样，其开关并不是对的，虽然说，在一定的工作电压下，场效应管就处于开关状态。但它的开关状态并不是没有内阻，其内阻的变化一般都是跟随其外部电压的大小而变化。所以，为了减小其内阻，应尽量加大其开关电压值。具体多大合适一定要查询芯片资料。

　　光敏二极管是将光信号变成电信号的半导体器件。它的核心部分也是一个PN结，和普通二极管相比，在结构上不同的是，为了便于接受入射光照，PN结面积尽量做的大一些，电极面积尽量小些，而且PN结的结深很浅，一般小于1微米。

　　甘肃光敏管合

　　管子不导通处于“死区”状态，当正向电压起过一定数值后，管子才导通，电压再稍微增大，电流急剧暗加（见曲线I段）。不同材料的二管，起始电压不同，硅管为0.5-.7伏左右，锗管为0.1-0.3左右。反向特性二管两端加上反向电压时，反向电流很小，当反向电压逐渐增加时，反向电流基本保持不变，这时的电流称为反向饱和电流（见曲线II段）。不同材料的二管，反向电流大小不同，硅管约为1微安到几十微安，锗管则可高达数百微安，另外，反向电流受温度变化的影响很大，锗管的稳定性比硅管差。击穿特性当反向电压增加到某一数值时，反向电流急剧增大，这种现象称为反向击穿（见曲线III）。这时的反向电压称为反向击穿电压，不同结构、工艺和材料制成的管子，其反向击穿电压值差异很大，可由1伏到几百伏，甚至高达数千伏。

　　甘肃光敏管合

　　具体公式不用细想，我们可以从中得知负载电容的减小可以使实际频率Fx变大，我们可以改变的只有Cg和Cd，通过初步的计算发现CL改变1pF,Fx可以改变几百Hz。原有电路使用的是33pF的两个电容，则并联起来是16.5pF，我们的贴片电容只有27pF,33pF，39pF,所以我们选用了27pF和39pF并联，则电容为15.95pF。电容焊好后，测量比原来大了200多赫兹，落在了设计范围内。