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从放大电路到开关电路从发射放大电路演变掉开关电路的示意图如下:从图中可以看出,电路(a)去掉输入输出两个耦合电容后得到了电路(b),由于放大倍数是有Rc和Re两个电阻决定的,所以去掉Re后,得到了电路(c),同时,基偏置电路也没有什么必要,当输入信号为0V时三管处于截止状态,如图(d)。为了确保在没有信号输入时,三管处于截止状态,这里加上了下拉电阻R2。我们知道,如果在电路中输入信号超过0.6V时,三管的基和发射之间的二管将导通,开始为电路提高基电流,在这种状态下,由于没有限制电流的大小,可能会损害单片机端口和三管,为此还需要在基上添加一个限流电阻。至此一个开关电路就这样演变而来。
自举升压电容:利用电容器的充、放电储能特性提升电路某点的电位,使该点电位达到供电端电压值的2倍。消亮点电容:设置在视放电路中,用于关机时消除显像管上残余亮点的电容。软启动电容:一般接在开关电源的开关管基上,在开启电源时,过大的浪涌电流或过高的峰值电压加到开关管基上,导致开关管损坏。启动电容:串接在单相电动机的副绕组上,为电动机提供启动移相交流电压,在电动机正常运转后与副绕组断开。运转电容:与单相电动机的副绕组串联,为电动机副绕组提供移相交流电流。在电动机正常运行时,与副绕组保持串接。电容的应用很广泛,其中为常见的就是去耦电容。该一般应用在电源的旁边,作为是为了降低电源对地的交流阻抗(也称为旁路电容)。在没有这个电容时,电路的交流特性变得很奇特,严重时电路产生振荡。为此,单片机及其他外围器件的每一个电源输入脚都应该加上一个旁路电容。电容的阻抗为1/(2π*f*C),频率越高,阻抗应该越小。在结构上,小容量的电容器在高的频率处,而大容量的电容器则在较低的频率处,电容的阻抗变得。因此,在电源上并联一个小容量电容和一个大容量电容是很有必要的,这样在很宽的频率范围降低电源对地的阻抗。
合金扩散型二管它是合金型的一种。合金材料是容易被扩散的材料。把制作的材料通过巧妙地掺配杂质,就能与合金一起过扩散,以便在已经形成的PN结中获得杂质的恰当的浓度分布。此法适用于制造高灵敏度的变容二管。用外延面长的过程制造PN结而形成的二管。制造时需要的技术。因能随意地控制杂质的不同浓度的分布,故适宜于制造高灵敏度的变容二管。基本原理是:在金属(例如铅)和半导体(N型硅片)的接触面上,用已形成的肖特基来阻挡反向电压。肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。其耐压程度只有40V左右。其特长是:开关速度快:反向恢复时间trr地短。因此,能制作开关二和低压大电流整流二管。
光电二极管是在反向电压作用下工作的,没有光照时,反向电流极其微弱(一般小于0.1微安),叫暗电流;有光照时,反向电流迅速增大到几十到上百微安,称为光电流。光的强度越大,反向电流也越大。光的变化引起光电二极管电流变化,这就可以把光信号转换成电信号,成为光电传感器件。
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