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和三管一样场效应管也可以应用在放大电路中,而且和三管是放大基本一致,其放大原理如下:和三管一样,场效应管的放大也是通过电源实现的,而不是信号自己放大。与三管对比我们发现三管是通过电流控制放大的,而场效应管则是通过电压放大的。场效应管的开关电路和三管的开关电路一样,都是可以从放大电路变化而得。这里不在说明其变化过程。同样把负载放置在Rd的位置。对于偏置电阻的确定,需要注意:其作用和三管的上下拉电阻一样,用于确定栅的电平状态,取值一般没有要求,大都取1M。
光敏二极管是将光信号变成电信号的半导体器件。它的核心部分也是一个PN结,和普通二极管相比,在结构上不同的是,为了便于接受入射光照,PN结面积尽量做的大一些,电极面积尽量小些,而且PN结的结深很浅,一般小于1微米。
在N型锗或硅的单晶片上,通过合金铟、铝等金属的方法制作PN结而形成的。正向电压降小,适于大电流整流。因其PN结反向时静电容量大,所以不适于高频检波和高频整流。在高温的P型杂质气体中,加热N型锗或硅的单晶片,使单晶片表面的一部变成P型,以此法PN结。因PN结正向电压降小,适用于大电流整流。近,使用大电流整流器的主流已由硅合金型转移到硅扩散型。PN结的制作方法虽然与扩散型相同,但是,只保留PN结及其必要的部分,把不必要的部分用品腐蚀掉。其剩余的部分便呈现面形,因而得名。初期生产的台面型,是对半导体材料使用扩散法而制成的。因此,又把这种台面型称为扩散台面型。对于这一类型来说,似乎大电流整流用的产品型号很少,而小电流开关用的产品型号却很多。
电阻的又一应用就是上下拉电阻,上拉就是将不确定的信号通过一个电阻钳位在高电平,电阻同时起限流作用。下拉同理。也是是将不确定的信号通过一个电阻钳位在低电平。上拉是对器件输入电流,下拉是输出电流;强弱只是上拉电阻的阻值不同,没有什么严格区分;对于非集电(或漏)开路输出型电路(如普通门电路)提升电流和电压的能力是有限的,上拉电阻的功能主要是为集电开路输出型电路输出电流通道。当TTL电路驱动CMOS电路时,如果电路输出的高电平低于CMOS电路的高电平(一般为3.5V),这时就需要在TTL的输出端接上拉电阻,以提高输出高电平的值。
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