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不管什么样的三管,其实其工作原理是一致的,从外部看来,因为在基输入了一个小电流被变化而出现在集电和发射之间就出现了一个被放大的电流。三管实际上可以这样理解,在三管的基和发射之间加入了二管,当三管工作时,基与发射之间的二管的正向压降为0.6~0.7V。反过来可以这样理解,要让三管工作,实际上可以让三管里边的二管工作,当这个二管工作了,那么三管以就工作了。而且从上图可以看出,由箭头可以看出PN的方向,同时由这个PN结就可以确定管子的类型为NPN,还是PNP了。例如上图的个三管基的PN结的P,发射是PN结的N,故集电应该为N,所以,个三管为NPN型,同样的方法可以确定第2个三管为PNP。
光敏二极管的特性有五个:光谱特性、伏安特性、光照特性、温度特性以及频率响应特性。光敏二极管和普通二极管相似,都对电流有放大的作用,不同的是它的集电极电流不只是受基极电路和电流控制,它还要受光辐射的控制。
通常小容量的电容器是0.01~0.1uF的陶瓷电容器(薄膜电容器为NG),大容量的电容器是1~100uF的铝电解电容。在实际应用中,小容量电容器常取104电容,大容量电容器常取10uF电容。从惯上来说,旁路电容也有大小两个电容,形成两条通路,也电路的性。电源是使电路进行工作的基础,因此,旁路电容可以认为是电路工作的“保险金”。在电路图中,一定要添加旁路电容,所以,从一个人的对旁路电容的应用,是布就可以看出,其是否是高手了。
外加反向电压不超过一定范围时,通过二管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小,二管处于截止状态。这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流,二管的反向饱和电流受温度影响很大。一般硅管的反向电流比锗管小得多,小功率硅管的反响饱和电流在nA数量级,小功率锗管在μA数量级。温度升高时,半导体受热激发,少数截流子数目增加,反向饱和电流也随之增加。二管种类有很多,按照所用的半导体材料,可分为锗二管(Ge管)和硅二管(Si管)。根据其不同用途,可分为检波二管、整流二管、稳压二管、开关二管、隔离二管、肖特基二管、发光二管、硅功率开关二管、旋转二管等。按照管芯结构,又可分为点接触型二管、面接触型二管及平面型二管。点接触型二管是用一根很细的金属丝压在光洁的半导体晶片表面,通以脉冲电流,使触丝一端与晶片牢固地烧结在一起,形成一个“PN结”。由于是点接触,只允许通过较小的电流(不超过几十毫安),适用于高频小电流电路,如收音机的检波等。面接触型二管的“PN结”面积较大,允许通过较大的电流(几安到几十安),主要用于把交流电变换成直流电的“整流”电路中。平面型二管是一种特制的硅二管,它不仅能通过较大的电流,而且性能稳定,多用于开关、脉冲及高频电路中。
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