西藏贴片光敏二极管二极管和红外接收管区别

　　西藏贴片光敏二极管二极管和红外接收管区别

　　w=0.5cuu一个电容器，如果带1库的电量时两级间的电势差是1伏，这个电容器的电容就是1法，即:C=Q/U但电容的大小不是由Q（带电量）或U（电压）决定的，即:C=εS/4πkd。其中，ε是一个常数，S为电容板的正对面积，d为电容板的距离，k则是静电力常量。常见的平行板电容器，电容为C=εS/d（ε为板间介质的介电常数，S为板面积，d为板间的距离）。定义式:C=Q/U电容器的电势能计算公式:E=CU^2/2=QU/2=Q^2/2C多电容器并联计算公式:C=C1+C2+C3+…+Cn多电容器串联计算公式:1/C=1/C1+1/C2+…+1/Cn三电容器串联:C=（C1*C2*C3）/（C1*C2+C2*C3+C1*C3）电容是指容纳电场的能力。静电场都是由许多个电容组成，有静电场就有电容，电容是用静电场描述的。一般认为:孤立导体与无穷远处构成电容，导体接地等效于接到无穷远处，并与大地连接成整体。

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　　结型光电二极管一般不用来测量很低的光强。如果弱光情况下需要高灵敏度探测器，雪崩光电二极管、感光耦合元件或者光电倍增管就能发挥作用，例如天文学、光谱学、夜视设备、激光测距仪等应用产品。

　　继电器驱动常见电路，这里使用的是NPN三管，高电平控制。为没有控制信号时，三管处于截止状态，继电器不工作，这里加了一个10K的下拉电阻。为了限制基的输入电流，这里使用了4.3K的限流电阻，在单片机控制下，大输入电流Ib=（5-0.6）/4.3K=1mA。同时，我们再次强调，在继电器端并联一个续流二管，否则开关继电器的同时可能会损坏三管，这一点我们在讲述二管时已经说明。对于需要提供大电流才工作的LED电路，我们也考虑使用三管来驱动，有时甚至会需要多个三管同时才能驱动。

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　　当照在光敏电阻上的光强变化时，电阻值也在变化。显然这是半导体材料的特性。使用光敏电阻可以检测光强的变化。电阻的封装有表面贴和轴向的封装。轴向封装有:axial0.4、axial0.6、axial0.8等等；axial在英语中就是轴的意思；表面贴电阻的封装常用的就是0805；当然还有更大的；但是更大的电阻不是很常用的。电阻作为限流应该是常用的应用之一，对于单片机外围设计来说，电阻的应用重要，在很多时候，我们在单片机的I/O端口上连接一个限流电阻，外围电路不会应用短路、过载等原因烧坏单片机的I/O端口，甚至整个单片机。