广西全波谱光敏管基本特性

　　广西全波谱光敏管基本特性

　　对于场效应管来说，在大学期间老师基本没有讲，让自己自学。到了工作的时候，我们发现场效应管应用还是比较广泛的。其实场效应管和三管还是很相似的。在很多应用中，甚至可以直接贴换三管。场效应晶体管（FieldEffectTransistor缩写(FET)）简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（10^7～10^12Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、工作区域宽等优点，现已成为双型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

　　广西全波谱光敏管基本特性

　　与双型晶体管相比，场效应管具有如下特点。场效应管是电压控制器件，它通过VGS(栅源电压)来控制ID（漏电流）；场效应管的控制输入端电流小，因此它的输入电阻(Ω)很大。它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好；它组成的放大电路的电压放大系数要小于三管组成放大电路的电压放大系数；场效应管的抗辐射能力强；由于不存在杂乱运动的电子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单型器件，而晶体管是既有多数载流子，也利用少数载流子导电，被称之为双型器件。

　　广西全波谱光敏管基本特性

　　它们在反向电压作用下参加漂移运动，使反向电流明显变大，光的强度越大，反向电流也越大。这种特性称为“光电导”。光敏二极管在一般照度的光线照射下，所产生的电流叫光电流。如果在外电路上接上负载，负载上就获得了电信号，而且这个电信号随着光的变化而相应变化。

　　具体公式不用细想，我们可以从中得知负载电容的减小可以使实际频率Fx变大，我们可以改变的只有Cg和Cd，通过初步的计算发现CL改变1pF,Fx可以改变几百Hz。原有电路使用的是33pF的两个电容，则并联起来是16.5pF，我们的贴片电容只有27pF,33pF，39pF,所以我们选用了27pF和39pF并联，则电容为15.95pF。电容焊好后，测量比原来大了200多赫兹，落在了设计范围内。