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福建全波谱光敏管pc817
对于限流,想必大家都很清楚,可是在选择电阻阻值时,你的标准是什么?你知道单片机端口是大输入电流吗?知道单片机的大输出电流吗?知道单片机端口能承受的大电压吗?面对这些问题,恐怕很多人都是知其然不知其所以然,凭靠经验获取,并没有按照电路的要求计算取值。为此,在这里提出这些问题,并不想教大家怎么去计算这些值,知道欧姆定律的人都应该知道该怎么计算吧,所以,只是希望大家在选择之前,先了解单片机的这些参数,然后,根据参数进行计算。在计算时一定要留一定的预留空间。
管基础知识1.二管的主要参数正向电流IF:在额定功率下,允许通过二管的电流值。正向电压降VF:二管通过额定正向电流时,在两间所产生的电压降。大整流电流(平均值)IOM:在半波整流连续工作的情况下,允许的大半波电流的平均值。反向击穿电压VB:二管反向电流急剧增大到出现击穿现象时的反向电压值。正向反向峰值电压VRM:二管正常工作时所允许的反向电压峰值,通常VRM为VP的三分之二或略小一些。反向电流IR:在规定的反向电压条件下流过二管的反向电流值。结电容C:电容包括电容和扩散电容,在高频场合下使用时,要求结电容小于某一规定数值。高工作频率FM:二管具有单向导电性的高交流
它们在反向电压作用下参加漂移运动,使反向电流明显变大,光的强度越大,反向电流也越大。这种特性称为“光电导”。光敏二极管在一般照度的光线照射下,所产生的电流叫光电流。如果在外电路上接上负载,负载上就获得了电信号,而且这个电信号随着光的变化而相应变化。
w=0.5cuu一个电容器,如果带1库的电量时两级间的电势差是1伏,这个电容器的电容就是1法,即:C=Q/U但电容的大小不是由Q(带电量)或U(电压)决定的,即:C=εS/4πkd。其中,ε是一个常数,S为电容板的正对面积,d为电容板的距离,k则是静电力常量。常见的平行板电容器,电容为C=εS/d(ε为板间介质的介电常数,S为板面积,d为板间的距离)。定义式:C=Q/U电容器的电势能计算公式:E=CU^2/2=QU/2=Q^2/2C多电容器并联计算公式:C=C1+C2+C3+…+Cn多电容器串联计算公式:1/C=1/C1+1/C2+…+1/Cn三电容器串联:C=(C1*C2*C3)/(C1*C2+C2*C3+C1*C3)电容是指容纳电场的能力。静电场都是由许多个电容组成,有静电场就有电容,电容是用静电场描述的。一般认为:孤立导体与无穷远处构成电容,导体接地等效于接到无穷远处,并与大地连接成整体。
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