湖北全波谱光敏管隔离

　　湖北全波谱光敏管隔离

　　半导体三管又称“晶体三管”或“晶体管”。在半导体锗或硅的单晶上制备两个能相互影响的PN结，组成一个PNP（或NPN）结构。中间的N区（或P区）叫基区，两边的区域叫发射区和集电区，这三部分各有一条电引线，分别叫基B、发射E和集电C，是能起放大、振荡或开关等作用的半导体电子器件。晶体三管（以下简称三管）按材料分有两种:锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用多的是硅NPN和锗PNP两种三管，（其中，N表示在高纯度硅中加入磷，是指取代一些硅原子，在电压刺激下产生自由电子导电，而p是加入硼取代硅，产生大量空穴利于导电）。两者除了电源性不同外，其工作原理都是相同的，下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。对于NPN管，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间形成的PN结称为发射结，而集电区与基区形成的PN结称为集电结，三条引线分别称为发射e、基b和集电c。

　　光敏二极管是在反向电压作用之下工作的。没有光照时，反向电流很小（一般小于0.1微安），称为暗电流。当有光照时，携带能量的光子进入PN结后，把能量传给共价键上的束缚电子，使部分电子挣脱共价键，从而产生电子---空穴对，称为光生载流子。

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　　从放大电路到开关电路从发射放大电路演变掉开关电路的示意图如下:从图中可以看出，电路（a）去掉输入输出两个耦合电容后得到了电路（b），由于放大倍数是有Rc和Re两个电阻决定的，所以去掉Re后，得到了电路（c），同时，基偏置电路也没有什么必要，当输入信号为0V时三管处于截止状态，如图（d）。为了确保在没有信号输入时，三管处于截止状态，这里加上了下拉电阻R2。我们知道，如果在电路中输入信号超过0.6V时，三管的基和发射之间的二管将导通，开始为电路提高基电流，在这种状态下，由于没有限制电流的大小，可能会损害单片机端口和三管，为此还需要在基上添加一个限流电阻。至此一个开关电路就这样演变而来。

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　　中和电容:并接在三管放大器的基与发射之间，构成负反馈网络，以抑制三管间电容造成的自激振荡。稳频电容:在振荡电路中，起稳定振荡频率的作用。定时电容:在RC时间常数电路中与电阻R串联，共同决定充放电时间长短的电容。加速电容:接在振荡器反馈电路中，使正反馈过程加速，提高振荡信号的幅度。缩短电容:在UHF高频头电路中，为了缩短振荡电感器长度而串联的电容。克拉波电容:在电容三点式振荡电路中，与电感振荡线圈串联的电容，起到消除晶体管结电容对频率稳定性影响的作用。