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电阻的又一应用就是上下拉电阻,上拉就是将不确定的信号通过一个电阻钳位在高电平,电阻同时起限流作用。下拉同理。也是是将不确定的信号通过一个电阻钳位在低电平。上拉是对器件输入电流,下拉是输出电流;强弱只是上拉电阻的阻值不同,没有什么严格区分;对于非集电(或漏)开路输出型电路(如普通门电路)提升电流和电压的能力是有限的,上拉电阻的功能主要是为集电开路输出型电路输出电流通道。当TTL电路驱动CMOS电路时,如果电路输出的高电平低于CMOS电路的高电平(一般为3.5V),这时就需要在TTL的输出端接上拉电阻,以提高输出高电平的值。
在N型锗或硅的单晶片上,通过合金铟、铝等金属的方法制作PN结而形成的。正向电压降小,适于大电流整流。因其PN结反向时静电容量大,所以不适于高频检波和高频整流。在高温的P型杂质气体中,加热N型锗或硅的单晶片,使单晶片表面的一部变成P型,以此法PN结。因PN结正向电压降小,适用于大电流整流。近,使用大电流整流器的主流已由硅合金型转移到硅扩散型。PN结的制作方法虽然与扩散型相同,但是,只保留PN结及其必要的部分,把不必要的部分用品腐蚀掉。其剩余的部分便呈现面形,因而得名。初期生产的台面型,是对半导体材料使用扩散法而制成的。因此,又把这种台面型称为扩散台面型。对于这一类型来说,似乎大电流整流用的产品型号很少,而小电流开关用的产品型号却很多。
所有类型的光传感器都可以用来检测突发的光照,或者探测同一电路系统内部的发光。光电二极管常常和发光器件(通常是发光二极管)被合并在一起组成一个模块,这个模块常被称为光电耦合元件。
利用某些半导体吸收某种气体后发生氧化还原反应制成,主要成分是金属氧化物,主要品种有:金属氧化物气敏电阻、复合氧化物气敏电阻、陶瓷气敏电阻等。力敏电阻是一种阻值随压力变化而变化的电阻,国外称为压电电阻器。所谓压力电阻效应即半导体材料的电阻率随机械应力的变化而变化的效应。可制成各种力矩计,半导体话筒,压力传感器等。主要品种有硅力敏电阻器,硒碲合金力敏电阻器,相对而言,合金电阻器具有更高灵敏度。
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