海南插件光敏二极管参数

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　　w=0.5cuu一个电容器，如果带1库的电量时两级间的电势差是1伏，这个电容器的电容就是1法，即:C=Q/U但电容的大小不是由Q（带电量）或U（电压）决定的，即:C=εS/4πkd。其中，ε是一个常数，S为电容板的正对面积，d为电容板的距离，k则是静电力常量。常见的平行板电容器，电容为C=εS/d（ε为板间介质的介电常数，S为板面积，d为板间的距离）。定义式:C=Q/U电容器的电势能计算公式:E=CU^2/2=QU/2=Q^2/2C多电容器并联计算公式:C=C1+C2+C3+…+Cn多电容器串联计算公式:1/C=1/C1+1/C2+…+1/Cn三电容器串联:C=（C1*C2*C3）/（C1*C2+C2*C3+C1*C3）电容是指容纳电场的能力。静电场都是由许多个电容组成，有静电场就有电容，电容是用静电场描述的。一般认为:孤立导体与无穷远处构成电容，导体接地等效于接到无穷远处，并与大地连接成整体。

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　　当照在光敏电阻上的光强变化时，电阻值也在变化。显然这是半导体材料的特性。使用光敏电阻可以检测光强的变化。电阻的封装有表面贴和轴向的封装。轴向封装有:axial0.4、axial0.6、axial0.8等等；axial在英语中就是轴的意思；表面贴电阻的封装常用的就是0805；当然还有更大的；但是更大的电阻不是很常用的。电阻作为限流应该是常用的应用之一，对于单片机外围设计来说，电阻的应用重要，在很多时候，我们在单片机的I/O端口上连接一个限流电阻，外围电路不会应用短路、过载等原因烧坏单片机的I/O端口，甚至整个单片机。

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　　小容量的电容器是在高频情况下降低阻抗的，所以如果不配置在电路附近，则电容器的引线增长，由于引线本身的阻抗，电源的阻抗不能降低。使用在使用小电容时，一定将尽量靠近器件的电源输入脚，否则就算添加了这个电容也没有意义。大容量电容器由于其低频特性，在布时可以适当离器件远些也没有问题。在低频电路上即使没有小电容C1，电路也能正常工作。但是在高频电路中，比起大电容C2来说，C1起着更为重要的作用。

　　光电二极管是在反向电压作用下工作的，没有光照时，反向电流极其微弱（一般小于0.1微安），叫暗电流；有光照时，反向电流迅速增大到几十到上百微安，称为光电流。光的强度越大，反向电流也越大。光的变化引起光电二极管电流变化，这就可以把光信号转换成电信号，成为光电传感器件。