新疆全波谱光敏管接收原理

　　新疆全波谱光敏管接收原理

　　简单的LED应用电路，在这个电路中需要注意的是限流电阻R1的选择。如果该电路用于指示用，而且单片机的I/O端口可以输出4mA左右的电流，则可以直接通过单片机端口控制，则R1的计算公式如下:R1=（VCC-Vled）/4mA但是，如果这个电路用作照明用，显然是单片机的I/O端口是无法输出这么大电流的，这是，我们可以考虑用三级管或FET来开关控制。当然，如果作为一般指示电路使用时，如果单片机无法输出4mA的电流时，也可用于使用三管货FET来驱动LED。

　　光敏二极管是将光信号变成电信号的半导体器件。它的核心部分也是一个PN结，和普通二极管相比，在结构上不同的是，为了便于接受入射光照，PN结面积尽量做的大一些，电极面积尽量小些，而且PN结的结深很浅，一般小于1微米。

　　新疆全波谱光敏管接收原理

　　管子不导通处于“死区”状态，当正向电压起过一定数值后，管子才导通，电压再稍微增大，电流急剧暗加（见曲线I段）。不同材料的二管，起始电压不同，硅管为0.5-.7伏左右，锗管为0.1-0.3左右。反向特性二管两端加上反向电压时，反向电流很小，当反向电压逐渐增加时，反向电流基本保持不变，这时的电流称为反向饱和电流（见曲线II段）。不同材料的二管，反向电流大小不同，硅管约为1微安到几十微安，锗管则可高达数百微安，另外，反向电流受温度变化的影响很大，锗管的稳定性比硅管差。击穿特性当反向电压增加到某一数值时，反向电流急剧增大，这种现象称为反向击穿（见曲线III）。这时的反向电压称为反向击穿电压，不同结构、工艺和材料制成的管子，其反向击穿电压值差异很大，可由1伏到几百伏，甚至高达数千伏。

　　新疆全波谱光敏管接收原理

　　滤波电容:用在滤波电路中的电容器称为滤波电容，在电源滤波和各种滤波器电路中使用这种电容电路，滤波电容将一定频段内的信号从总信号中去除。退耦电容:用在退耦电路中的电容器称为退耦电容，在多级放大器的直流电压供给电路中使用这种电容电路，退耦电容消除每级放大器之间的有害低频交连。高频消振电容:用在高频消振电路中的电容称为高频消振电容，在音频负反馈放大器中，为了消振可能出现的高频自激，采用这种电容电路，以消除放大器可能出现的高频啸叫。