安徽光敏管大全

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　　半导体三管又称“晶体三管”或“晶体管”。在半导体锗或硅的单晶上制备两个能相互影响的PN结，组成一个PNP（或NPN）结构。中间的N区（或P区）叫基区，两边的区域叫发射区和集电区，这三部分各有一条电引线，分别叫基B、发射E和集电C，是能起放大、振荡或开关等作用的半导体电子器件。晶体三管（以下简称三管）按材料分有两种:锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用多的是硅NPN和锗PNP两种三管，（其中，N表示在高纯度硅中加入磷，是指取代一些硅原子，在电压刺激下产生自由电子导电，而p是加入硼取代硅，产生大量空穴利于导电）。两者除了电源性不同外，其工作原理都是相同的，下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。对于NPN管，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间形成的PN结称为发射结，而集电区与基区形成的PN结称为集电结，三条引线分别称为发射e、基b和集电c。

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　　光敏二极管的特性有五个:光谱特性、伏安特性、光照特性、温度特性以及频率响应特性。光敏二极管和普通二极管相似，都对电流有放大的作用，不同的是它的集电极电流不只是受基极电路和电流控制，它还要受光辐射的控制。

　　使用电感对电源电路隔离也是比较常用的方法，在很多时候，我们需要把几个电源相互隔离以防其相互干扰，这时候常使用的器件就是电感（有时会使用0Ω电阻代替）。是一个单片机小系统的一部分原理图，在图中我们可以看到。为了把单片机的数字地和模拟地进行隔离，使用了一个10uH的电感，以这两个电源的相对独立。在单片机外围电路中，二管的应用也广泛，而且二管根据其应用不同，种类繁多，下面我们主要谈谈发光二管、续流二管、整流二管、限幅二管等。

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　　w=0.5cuu一个电容器，如果带1库的电量时两级间的电势差是1伏，这个电容器的电容就是1法，即:C=Q/U但电容的大小不是由Q（带电量）或U（电压）决定的，即:C=εS/4πkd。其中，ε是一个常数，S为电容板的正对面积，d为电容板的距离，k则是静电力常量。常见的平行板电容器，电容为C=εS/d（ε为板间介质的介电常数，S为板面积，d为板间的距离）。定义式:C=Q/U电容器的电势能计算公式:E=CU^2/2=QU/2=Q^2/2C多电容器并联计算公式:C=C1+C2+C3+…+Cn多电容器串联计算公式:1/C=1/C1+1/C2+…+1/Cn三电容器串联:C=（C1*C2*C3）/（C1*C2+C2*C3+C1*C3）电容是指容纳电场的能力。静电场都是由许多个电容组成，有静电场就有电容，电容是用静电场描述的。一般认为:孤立导体与无穷远处构成电容，导体接地等效于接到无穷远处，并与大地连接成整体。