云南贴片光敏二极管和光电开关
半导体三管又称“晶体三管”或“晶体管”。在半导体锗或硅的单晶上制备两个能相互影响的PN结，组成一个PNP（或NPN）结构。中间的N区（或P区）叫基区，两边的区域叫发射区和集电区，这三部分各有一条电引线，分别叫基B、发射E和集电C，是能起放大、振荡或开关等作用的半导体电子器件。晶体三管（以下简称三管）按材料分有两种:锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用多的是硅NPN和锗PNP两种三管，（其中，N表示在高纯度硅中加入磷，是指取代一些硅原子，在电压刺激下产生自由电子导电，而p是加入硼取代硅，产生大量空穴利于导电）。两者除了电源性不同外，其工作原理都是相同的，下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。对于NPN管，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间形成的PN结称为发射结，而集电区与基区形成的PN结称为集电结，三条引线分别称为发射e、基b和集电c。
云南贴片光敏二极管和光电开关
电路的电源开关接通后,+5V直流电压通过电阻R1对电容C1充电,这样在电源接通瞬间电容Cl两端没有电压(因为电容两端的电压不能突变),随着对电容Cl的充电,集成电路Al的脚上的电压开始升高,这样可在Al的脚上产生一个时间长的复位脉冲,时间常数一般为0.2s.随着+5V直流电压的充电,Al的脚上的电压达到了一定值,集成电路Al内部电路均可建立起初始状态,复位工作完成,CPU进入初始的正常工作状态。这一复位电路的目的:使集成电路Al的复位引脚①脚上直流电压的建立滞后于集成电路Al的+5V直流工作电压规定的时间,如图5-69所示的电压波形可以说明这一问题。
云南贴片光敏二极管和光电开关
光电二极管与其他类型的光探测器一样，在诸如光敏电阻、感光耦合元件以及光电倍增管等设备中有着广泛应用。它们能够根据所受光的照度来输出相应的模拟电信号（例如测量仪器）或者在数字电路的不同状态间切换（例如控制开关、数字信号处理）。
中和电容:并接在三管放大器的基与发射之间，构成负反馈网络，以抑制三管间电容造成的自激振荡。稳频电容:在振荡电路中，起稳定振荡频率的作用。定时电容:在RC时间常数电路中与电阻R串联，共同决定充放电时间长短的电容。加速电容:接在振荡器反馈电路中，使正反馈过程加速，提高振荡信号的幅度。缩短电容:在UHF高频头电路中，为了缩短振荡电感器长度而串联的电容。克拉波电容:在电容三点式振荡电路中，与电感振荡线圈串联的电容，起到消除晶体管结电容对频率稳定性影响的作用。