海南颜色感应管参数

　　海南颜色感应管参数

　　对于电阻，想必大家都觉得简单，没有什么好说的。其实电阻的应该还是广泛的，在不同的应用场合其作用是不同的。本人将总结其基本用法，及容易被忽略的地方。电阻（Resistance，通常用“R”表示），在物理学中表示导体对电流阻碍作用的大小。导体的电阻越大，表示导体对电流的阻碍作用越大。不同的导体，电阻一般不同，电阻是导体本身的一种特性。电阻将会导致电子流通量的变化，电阻越小，电子流通量越大，反之亦然。而超导体则没有电阻。

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　　早期的二管包含“猫须晶体（"Cat'sWhisker"Crystals）”以及真空管(英国称为“热游离阀（ThermionicValves）”)。现今普遍的二管大多是使用半导体材料如硅或锗。外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服PN结内电场的阻挡作用，正向电流几乎为零，这一段称为死区。这个不能使二管导通的正向电压称为死区电压。当正向电压大于死区电压以后，PN结内电场被克服，二管正向导通，电流随电压增大而迅速上升。在正常使用的电流范围内，导通时二管的端电压几乎维持不变，这个电压称为二管的正向电压。当二管两端的正向电压超过一定数值Vth，内电场很快被削弱，电流迅速增长，二管正向导通。Vth叫做门坎电压或阈值电压，硅管约为0.5V，锗管约为0.1V。硅二管的正向导通压降约为0.6~0.8V，锗二管的正向导通压降约为0.2~0.3V。

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　　光电二极管与其他类型的光探测器一样，在诸如光敏电阻、感光耦合元件以及光电倍增管等设备中有着广泛应用。它们能够根据所受光的照度来输出相应的模拟电信号（例如测量仪器）或者在数字电路的不同状态间切换（例如控制开关、数字信号处理）。

　　在半导体单晶片（主要地是N型硅单晶片）上，扩散P型杂质，利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用，在N型硅单晶片上仅选择性地扩散一部分而形成的PN结。因此，不需要为调整PN结面积的品腐蚀作用。由于半导体表面被制作得平整，故而得名。并且，PN结合的表面，因被氧化膜覆盖，所以公认为是稳定性好和寿命长的类型。初，对于被使用的半导体材料是采用外延法形成的，故又把平面型称为外延平面型。对平面型二管而言，似乎使用于大电流整流用的型号很少，而作小电流开关用的型号则很多。