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在N型锗或硅的单晶片上,通过合金铟、铝等金属的方法制作PN结而形成的。正向电压降小,适于大电流整流。因其PN结反向时静电容量大,所以不适于高频检波和高频整流。在高温的P型杂质气体中,加热N型锗或硅的单晶片,使单晶片表面的一部变成P型,以此法PN结。因PN结正向电压降小,适用于大电流整流。近,使用大电流整流器的主流已由硅合金型转移到硅扩散型。PN结的制作方法虽然与扩散型相同,但是,只保留PN结及其必要的部分,把不必要的部分用品腐蚀掉。其剩余的部分便呈现面形,因而得名。初期生产的台面型,是对半导体材料使用扩散法而制成的。因此,又把这种台面型称为扩散台面型。对于这一类型来说,似乎大电流整流用的产品型号很少,而小电流开关用的产品型号却很多。
中和电容:并接在三管放大器的基与发射之间,构成负反馈网络,以抑制三管间电容造成的自激振荡。稳频电容:在振荡电路中,起稳定振荡频率的作用。定时电容:在RC时间常数电路中与电阻R串联,共同决定充放电时间长短的电容。加速电容:接在振荡器反馈电路中,使正反馈过程加速,提高振荡信号的幅度。缩短电容:在UHF高频头电路中,为了缩短振荡电感器长度而串联的电容。克拉波电容:在电容三点式振荡电路中,与电感振荡线圈串联的电容,起到消除晶体管结电容对频率稳定性影响的作用。
对于限流,想必大家都很清楚,可是在选择电阻阻值时,你的标准是什么?你知道单片机端口是大输入电流吗?知道单片机的大输出电流吗?知道单片机端口能承受的大电压吗?面对这些问题,恐怕很多人都是知其然不知其所以然,凭靠经验获取,并没有按照电路的要求计算取值。为此,在这里提出这些问题,并不想教大家怎么去计算这些值,知道欧姆定律的人都应该知道该怎么计算吧,所以,只是希望大家在选择之前,先了解单片机的这些参数,然后,根据参数进行计算。在计算时一定要留一定的预留空间。
光电二极管是在反向电压作用下工作的,没有光照时,反向电流极其微弱(一般小于0.1微安),叫暗电流;有光照时,反向电流迅速增大到几十到上百微安,称为光电流。光的强度越大,反向电流也越大。光的变化引起光电二极管电流变化,这就可以把光信号转换成电信号,成为光电传感器件。
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