宁夏光耦817引脚图及参数

　　宁夏光耦817引脚图及参数

　　半导体三管又称“晶体三管”或“晶体管”。在半导体锗或硅的单晶上制备两个能相互影响的PN结，组成一个PNP（或NPN）结构。中间的N区（或P区）叫基区，两边的区域叫发射区和集电区，这三部分各有一条电引线，分别叫基B、发射E和集电C，是能起放大、振荡或开关等作用的半导体电子器件。晶体三管（以下简称三管）按材料分有两种:锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用多的是硅NPN和锗PNP两种三管，（其中，N表示在高纯度硅中加入磷，是指取代一些硅原子，在电压刺激下产生自由电子导电，而p是加入硼取代硅，产生大量空穴利于导电）。两者除了电源性不同外，其工作原理都是相同的，下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。对于NPN管，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间形成的PN结称为发射结，而集电区与基区形成的PN结称为集电结，三条引线分别称为发射e、基b和集电c。

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　　管基础知识1.二管的主要参数正向电流IF:在额定功率下，允许通过二管的电流值。正向电压降VF:二管通过额定正向电流时，在两间所产生的电压降。大整流电流（平均值）IOM:在半波整流连续工作的情况下，允许的大半波电流的平均值。反向击穿电压VB:二管反向电流急剧增大到出现击穿现象时的反向电压值。正向反向峰值电压VRM:二管正常工作时所允许的反向电压峰值，通常VRM为VP的三分之二或略小一些。反向电流IR:在规定的反向电压条件下流过二管的反向电流值。结电容C:电容包括电容和扩散电容，在高频场合下使用时，要求结电容小于某一规定数值。高工作频率FM:二管具有单向导电性的高交流

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　　实际上不是这样的，从能量守恒可以知道，信号是不可能无缘无故被放大的，放大的信号也必定有来源。输入小的信号，要变成放大的信号，这个能量只能来源于电源供电，即由电源输出一个被放大的形状相同的信号。所以，在外部看来，可以看成输入信号被“放大”了，这就是三管的放大原理。三管的内部工作原理其实很简单，如下图所示，基与发射之间流过的电流进行不断地监视，并控制集电与发射之间放大的电流。也就是说，三管用基电流来控制集电和发射之间的电流。

　　光电二极管是在反向电压作用下工作的，没有光照时，反向电流极其微弱（一般小于0.1微安），叫暗电流；有光照时，反向电流迅速增大到几十到上百微安，称为光电流。光的强度越大，反向电流也越大。光的变化引起光电二极管电流变化，这就可以把光信号转换成电信号，成为光电传感器件。