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由于基区很薄,加上集电结的反偏,注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电电流Ic,只剩下很少(1-10%)的电子在基区的空穴进行复合,被复合掉的基区空穴由基电源Eb重新补给,从而形成了基电流Ibo.根据电流连续性原理得:Ie=Ib+Ic,这就是说,在基补充一个很小的Ib,就可以在集电上得到一个较大的Ic,这就是所谓电流放大作用,Ic与Ib是维持一定的比例关系,即:β1=Ic/Ib式中:β1--称为直流放大倍数,集电电流的变化量△Ic与基电流的变化量△Ib之比为:β=△Ic/△Ib。式中β--称为交流电流放大倍数,由于低频时β1和β的数值相差不大,所以有时为了方便起见,对两者不作严格区分,β值约为几十至一百多。三管是一种电流放大器件,但在实际使用中常常利用三管的电流放大作用,通过电阻转变为电压放大作用。
场效应管的开关电路应用广泛,由于其为电压控制型,而且内阻小,常常应用在各种大电流开关控制电路中。例如,热敏微型打印机电源开关、外部电源输出开关等等。简单的说,一般小电流开关电路可以适用三管,大电流开关电路使用场效应管,这里就不在列举实例了。和三管一样,其开关并不是对的,虽然说,在一定的工作电压下,场效应管就处于开关状态。但它的开关状态并不是没有内阻,其内阻的变化一般都是跟随其外部电压的大小而变化。所以,为了减小其内阻,应尽量加大其开关电压值。具体多大合适一定要查询芯片资料。
光电二极管与其他类型的光探测器一样,在诸如光敏电阻、感光耦合元件以及光电倍增管等设备中有着广泛应用。它们能够根据所受光的照度来输出相应的模拟电信号(例如测量仪器)或者在数字电路的不同状态间切换(例如控制开关、数字信号处理)。
具体公式不用细想,我们可以从中得知负载电容的减小可以使实际频率Fx变大,我们可以改变的只有Cg和Cd,通过初步的计算发现CL改变1pF,Fx可以改变几百Hz。原有电路使用的是33pF的两个电容,则并联起来是16.5pF,我们的贴片电容只有27pF,33pF,39pF,所以我们选用了27pF和39pF并联,则电容为15.95pF。电容焊好后,测量比原来大了200多赫兹,落在了设计范围内。
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