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河北光耦工作原理
在N型锗或硅的单晶片上,通过合金铟、铝等金属的方法制作PN结而形成的。正向电压降小,适于大电流整流。因其PN结反向时静电容量大,所以不适于高频检波和高频整流。在高温的P型杂质气体中,加热N型锗或硅的单晶片,使单晶片表面的一部变成P型,以此法PN结。因PN结正向电压降小,适用于大电流整流。近,使用大电流整流器的主流已由硅合金型转移到硅扩散型。PN结的制作方法虽然与扩散型相同,但是,只保留PN结及其必要的部分,把不必要的部分用品腐蚀掉。其剩余的部分便呈现面形,因而得名。初期生产的台面型,是对半导体材料使用扩散法而制成的。因此,又把这种台面型称为扩散台面型。对于这一类型来说,似乎大电流整流用的产品型号很少,而小电流开关用的产品型号却很多。
继电器驱动常见电路,这里使用的是NPN三管,高电平控制。为没有控制信号时,三管处于截止状态,继电器不工作,这里加了一个10K的下拉电阻。为了限制基的输入电流,这里使用了4.3K的限流电阻,在单片机控制下,大输入电流Ib=(5-0.6)/4.3K=1mA。同时,我们再次强调,在继电器端并联一个续流二管,否则开关继电器的同时可能会损坏三管,这一点我们在讲述二管时已经说明。对于需要提供大电流才工作的LED电路,我们也考虑使用三管来驱动,有时甚至会需要多个三管同时才能驱动。
光电二极管与其他类型的光探测器一样,在诸如光敏电阻、感光耦合元件以及光电倍增管等设备中有着广泛应用。它们能够根据所受光的照度来输出相应的模拟电信号(例如测量仪器)或者在数字电路的不同状态间切换(例如控制开关、数字信号处理)。
二管又称晶体二管,简称二管(diode),另外,还有早期的真空电子二管;它是一种具有单向传导电流的电子器件。在半导体二管内部有一个PN结两个引线端子,这种电子器件按照外加电压的方向,具备单向电流的转导性。一般来讲,晶体二管是一个由p型半导体和n型半导体烧结形成的p-n结界面。在其界面的两侧形成空间电荷层,构成自建电场。当外加电压等于零时,由于p-n结两边载流子的浓度差引起扩散电流和由自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态,这也是常态下的二管特性。
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