吉林光耦隔离

　　吉林光耦隔离

　　继电器驱动常见电路，这里使用的是NPN三管，高电平控制。为没有控制信号时，三管处于截止状态，继电器不工作，这里加了一个10K的下拉电阻。为了限制基的输入电流，这里使用了4.3K的限流电阻，在单片机控制下，大输入电流Ib=（5-0.6）/4.3K=1mA。同时，我们再次强调，在继电器端并联一个续流二管，否则开关继电器的同时可能会损坏三管，这一点我们在讲述二管时已经说明。对于需要提供大电流才工作的LED电路，我们也考虑使用三管来驱动，有时甚至会需要多个三管同时才能驱动。

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　　电压有一微小的增加，反向电流亦会猛增（反向击穿曲线很徒直）这时，二管处于击穿状态，如果把击穿电流限制在一定的范围内，管子就可以长时间在反向击穿状态下稳定工作。硅稳压管伏安特性曲线?变容二管变容二管是利用PN结的电容随外加偏压而变化这一特性制成的非线性电容元件，被广泛地用于参量放大器，电子调谐及倍频器等微波电路中，变容二管主要是通过结构设计及工艺等一系列途径来突出电容与电压的非线性关系，并提高Q值以适合应用。

　　所有类型的光传感器都可以用来检测突发的光照，或者探测同一电路系统内部的发光。光电二极管常常和发光器件（通常是发光二极管）被合并在一起组成一个模块，这个模块常被称为光电耦合元件。

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　　管基础知识1.二管的主要参数正向电流IF:在额定功率下，允许通过二管的电流值。正向电压降VF:二管通过额定正向电流时，在两间所产生的电压降。大整流电流（平均值）IOM:在半波整流连续工作的情况下，允许的大半波电流的平均值。反向击穿电压VB:二管反向电流急剧增大到出现击穿现象时的反向电压值。正向反向峰值电压VRM:二管正常工作时所允许的反向电压峰值，通常VRM为VP的三分之二或略小一些。反向电流IR:在规定的反向电压条件下流过二管的反向电流值。结电容C:电容包括电容和扩散电容，在高频场合下使用时，要求结电容小于某一规定数值。高工作频率FM:二管具有单向导电性的高交流