辽宁EVERLIGHT光敏二极管光敏管和光敏电阻的区别

　　辽宁EVERLIGHT光敏二极管光敏管和光敏电阻的区别

　　合金扩散型二管它是合金型的一种。合金材料是容易被扩散的材料。把制作的材料通过巧妙地掺配杂质，就能与合金一起过扩散，以便在已经形成的PN结中获得杂质的恰当的浓度分布。此法适用于制造高灵敏度的变容二管。用外延面长的过程制造PN结而形成的二管。制造时需要的技术。因能随意地控制杂质的不同浓度的分布，故适宜于制造高灵敏度的变容二管。基本原理是:在金属（例如铅）和半导体（N型硅片）的接触面上，用已形成的肖特基来阻挡反向电压。肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。其耐压程度只有40V左右。其特长是:开关速度快:反向恢复时间trr地短。因此，能制作开关二和低压大电流整流二管。

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　　半导体二管主要是依靠PN结而工作的。与PN结不可分割的点接触型和肖特基型，也被列入一般的二管的范围内。包括这两种型号在内，根据PN结构造面的特点，把晶体二管分类如下:点接触型二管是在锗或硅材料的单晶片上压触一根金属针后，再通过电流法而形成的。因此，其PN结的静电容量小，适用于高频电路。但是，与面结型相比较，点接触型二管正向特性和反向特性都差，因此，不能使用于大电流和整流。因为构造简单，所以价格便宜。

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　　光电二极管与其他类型的光探测器一样，在诸如光敏电阻、感光耦合元件以及光电倍增管等设备中有着广泛应用。它们能够根据所受光的照度来输出相应的模拟电信号（例如测量仪器）或者在数字电路的不同状态间切换（例如控制开关、数字信号处理）。

　　外加反向电压不超过一定范围时，通过二管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小，二管处于截止状态。这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流，二管的反向饱和电流受温度影响很大。一般硅管的反向电流比锗管小得多，小功率硅管的反响饱和电流在nA数量级，小功率锗管在μA数量级。温度升高时，半导体受热激发，少数截流子数目增加，反向饱和电流也随之增加。二管种类有很多，按照所用的半导体材料，可分为锗二管（Ge管）和硅二管（Si管）。根据其不同用途，可分为检波二管、整流二管、稳压二管、开关二管、隔离二管、肖特基二管、发光二管、硅功率开关二管、旋转二管等。按照管芯结构，又可分为点接触型二管、面接触型二管及平面型二管。点接触型二管是用一根很细的金属丝压在光洁的半导体晶片表面，通以脉冲电流，使触丝一端与晶片牢固地烧结在一起，形成一个“PN结”。由于是点接触，只允许通过较小的电流（不超过几十毫安），适用于高频小电流电路，如收音机的检波等。面接触型二管的“PN结”面积较大，允许通过较大的电流（几安到几十安），主要用于把交流电变换成直流电的“整流”电路中。平面型二管是一种特制的硅二管，它不仅能通过较大的电流，而且性能稳定，多用于开关、脉冲及高频电路中。