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二管在脉冲数字电路中,用于接通和关断电路的二管叫开关二管,它的特点是反向恢复时间短,能满足高频和超高频应用的需要。开关二管有接触型,平面型和扩散台面型几种,一般IF500毫安的硅开关二管,多采用全密封环氧树脂,陶瓷片状封装,引脚较长的一端为正。硅开关二管全密封环环氧树脂陶瓷片状封装?稳压二管稳压二管是由硅材料制成的面结合型晶体二管,它是利用PN结反向击穿时的电压基本上不随电流的变化而变化的特点,来达到稳压的目的,因为它能在电路中起稳压作用,故称为、稳压二管(简称稳压管)其图形符号
小容量的电容器是在高频情况下降低阻抗的,所以如果不配置在电路附近,则电容器的引线增长,由于引线本身的阻抗,电源的阻抗不能降低。使用在使用小电容时,一定将尽量靠近器件的电源输入脚,否则就算添加了这个电容也没有意义。大容量电容器由于其低频特性,在布时可以适当离器件远些也没有问题。在低频电路上即使没有小电容C1,电路也能正常工作。但是在高频电路中,比起大电容C2来说,C1起着更为重要的作用。
管子不导通处于“死区”状态,当正向电压起过一定数值后,管子才导通,电压再稍微增大,电流急剧暗加(见曲线I段)。不同材料的二管,起始电压不同,硅管为0.5-.7伏左右,锗管为0.1-0.3左右。反向特性二管两端加上反向电压时,反向电流很小,当反向电压逐渐增加时,反向电流基本保持不变,这时的电流称为反向饱和电流(见曲线II段)。不同材料的二管,反向电流大小不同,硅管约为1微安到几十微安,锗管则可高达数百微安,另外,反向电流受温度变化的影响很大,锗管的稳定性比硅管差。击穿特性当反向电压增加到某一数值时,反向电流急剧增大,这种现象称为反向击穿(见曲线III)。这时的反向电压称为反向击穿电压,不同结构、工艺和材料制成的管子,其反向击穿电压值差异很大,可由1伏到几百伏,甚至高达数千伏。
光电二极管是在反向电压作用下工作的,没有光照时,反向电流极其微弱(一般小于0.1微安),叫暗电流;有光照时,反向电流迅速增大到几十到上百微安,称为光电流。光的强度越大,反向电流也越大。光的变化引起光电二极管电流变化,这就可以把光信号转换成电信号,成为光电传感器件。
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