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通常小容量的电容器是0.01~0.1uF的陶瓷电容器(薄膜电容器为NG),大容量的电容器是1~100uF的铝电解电容。在实际应用中,小容量电容器常取104电容,大容量电容器常取10uF电容。从惯上来说,旁路电容也有大小两个电容,形成两条通路,也电路的性。电源是使电路进行工作的基础,因此,旁路电容可以认为是电路工作的“保险金”。在电路图中,一定要添加旁路电容,所以,从一个人的对旁路电容的应用,是布就可以看出,其是否是高手了。
半导体二管主要是依靠PN结而工作的。与PN结不可分割的点接触型和肖特基型,也被列入一般的二管的范围内。包括这两种型号在内,根据PN结构造面的特点,把晶体二管分类如下:点接触型二管是在锗或硅材料的单晶片上压触一根金属针后,再通过电流法而形成的。因此,其PN结的静电容量小,适用于高频电路。但是,与面结型相比较,点接触型二管正向特性和反向特性都差,因此,不能使用于大电流和整流。因为构造简单,所以价格便宜。
光电二极管与其他类型的光探测器一样,在诸如光敏电阻、感光耦合元件以及光电倍增管等设备中有着广泛应用。它们能够根据所受光的照度来输出相应的模拟电信号(例如测量仪器)或者在数字电路的不同状态间切换(例如控制开关、数字信号处理)。
与双型晶体管相比,场效应管具有如下特点。场效应管是电压控制器件,它通过VGS(栅源电压)来控制ID(漏电流);场效应管的控制输入端电流小,因此它的输入电阻(Ω)很大。它是利用多数载流子导电,因此它的温度稳定性较好;它组成的放大电路的电压放大系数要小于三管组成放大电路的电压放大系数;场效应管的抗辐射能力强;由于不存在杂乱运动的电子扩散引起的散粒噪声,所以噪声低。场效应管是电压控制元件,而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下,应选用场效应管;而在信号电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应选用晶体管。场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单型器件,而晶体管是既有多数载流子,也利用少数载流子导电,被称之为双型器件。
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