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面接触型或称面积型二管的PN结是用合金法或扩散法做成的,由于这种二管的PN结面积大,可承受较大电流,但间电容也大。这类器件适用于整流,而不宜用于高频率电路中。键型二管是在锗或硅的单晶片上熔接或银的细丝而形成的。其特性介于点接触型二管和合金型二管之间。与点接触型相比较,虽然键型二管的PN结电容量稍有增加,但正向特性优良。多作开关用,有时也被应用于检波和电源整流(不大于50mA)。在键型二管中,熔接金丝的二管有时被称金键型,熔接银丝的二管有时被称为银键型。
如果表针在左端不动,则管子内部已经断路硅管:表针在左端基本不动,靠近OO位置,锗管:表针从左端起动一点,但不应超过满刻度的1/4,则表明反向特性是好的,如果表针指在0位,则管子内部已短路普通发光二管的检测用万用表检测。利用具有×10k挡的指针式万用表可以大致判断发光二管的好坏。正常时,二管正向电阻阻值为几十至200k,反向电阻的值为。如果正向电阻值为0或为,反向电阻值很小或为0,则易损坏。这种检测方法,不能实地看到发光管的发光情况,因为×10k挡不能向LED提供较大正向电流。如果有两块指针万用表(好同型号)可以较好地检查发光二管的发光情况。
光电二极管与其他类型的光探测器一样,在诸如光敏电阻、感光耦合元件以及光电倍增管等设备中有着广泛应用。它们能够根据所受光的照度来输出相应的模拟电信号(例如测量仪器)或者在数字电路的不同状态间切换(例如控制开关、数字信号处理)。
和三管一样场效应管也可以应用在放大电路中,而且和三管是放大基本一致,其放大原理如下:和三管一样,场效应管的放大也是通过电源实现的,而不是信号自己放大。与三管对比我们发现三管是通过电流控制放大的,而场效应管则是通过电压放大的。场效应管的开关电路和三管的开关电路一样,都是可以从放大电路变化而得。这里不在说明其变化过程。同样把负载放置在Rd的位置。对于偏置电阻的确定,需要注意:其作用和三管的上下拉电阻一样,用于确定栅的电平状态,取值一般没有要求,大都取1M。
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