黑龙江光耦内部结构

　　黑龙江光耦内部结构

　　有时候由于器件自身设计的原因，如果不接外部上下拉电阻，设备无法正常实现高低电平的转换。例如，对于开漏输出的I2C总线来说，如果不接上拉电阻，其只能输出低电平，无法实现高电平输出，加上上拉电阻，在没有控制信号时，通过上拉电阻实现高电平。电容，作为电子电路的又一基本元器件，大家也是熟悉不过的了。下面我们谈谈电容的一些基本应用及注意事项。但是，由于电容的应用广泛，未必能面面俱到，如果有网友觉得没有谈到的地方，希望公共完善。

　　光敏二极管是将光信号变成电信号的半导体器件。它的核心部分也是一个PN结，和普通二极管相比，在结构上不同的是，为了便于接受入射光照，PN结面积尽量做的大一些，电极面积尽量小些，而且PN结的结深很浅，一般小于1微米。

　　黑龙江光耦内部结构

　　两种类型的晶体管实际上三管的NPN和PNP都是由两PN结构成。所以，我们可以认为，三管的基和发射机间与基和集电之间连接2个二管。在一般的放大电路中，使基和发射之间的二管导通，使基和集电之间的二管截止来设置三管各端电位。三管可以工作在三种状态:截止、放大、饱和。在模拟电路中，一般比较常用的是放大状态，而在单片机外围电路中，我们比较常用的还是其开关状态，即工作在截止和饱和状态。实际上三管的开关电路可以从放大电路逐步演变而来。左边是正常的放大电路，右边是我们需要的开关电路。从这两个波形不难看出，其状态很像，只是一个是正弦波，一个是方波。如果我们把放大倍数调大，或者把输入信号增大，那么会导致什么现象呢？这一点不难想象，输入输出信号的增大，放大波形的上下均会被切掉。切掉后的正弦波是不是很像我们的方波呢？由此可以看出，我们只需要修改这个放大电路，让其进入两个端就可以得到开关电路了。

　　黑龙江光耦内部结构

　　与双型晶体管相比，场效应管具有如下特点。场效应管是电压控制器件，它通过VGS(栅源电压)来控制ID（漏电流）；场效应管的控制输入端电流小，因此它的输入电阻(Ω)很大。它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好；它组成的放大电路的电压放大系数要小于三管组成放大电路的电压放大系数；场效应管的抗辐射能力强；由于不存在杂乱运动的电子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单型器件，而晶体管是既有多数载流子，也利用少数载流子导电，被称之为双型器件。