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甘肃光耦厂家
下面的继电器开关电路当开关的负载为继电器或电动机等电感性负载时,在截断流过负载的电流时(晶体管进入截止状态)会产生反向电动势。这时产生的电压大。当这种电压超过晶体管的集电-基间、集电-发射机间电压的大额定值Vcbo、Vceo时,晶体管将会被击穿。并联续流二管后,而与二管与继电器形成闭合回路,可以放掉继电器线圈产生的高达140V的反向电压,从而集电电位不高于电源电压的0.6V,而晶体管被击穿。
管基础知识1.二管的主要参数正向电流IF:在额定功率下,允许通过二管的电流值。正向电压降VF:二管通过额定正向电流时,在两间所产生的电压降。大整流电流(平均值)IOM:在半波整流连续工作的情况下,允许的大半波电流的平均值。反向击穿电压VB:二管反向电流急剧增大到出现击穿现象时的反向电压值。正向反向峰值电压VRM:二管正常工作时所允许的反向电压峰值,通常VRM为VP的三分之二或略小一些。反向电流IR:在规定的反向电压条件下流过二管的反向电流值。结电容C:电容包括电容和扩散电容,在高频场合下使用时,要求结电容小于某一规定数值。高工作频率FM:二管具有单向导电性的高交流
光电二极管与其他类型的光探测器一样,在诸如光敏电阻、感光耦合元件以及光电倍增管等设备中有着广泛应用。它们能够根据所受光的照度来输出相应的模拟电信号(例如测量仪器)或者在数字电路的不同状态间切换(例如控制开关、数字信号处理)。
结论:晶振电路上的两个电容可以不相等,通过微调电容的值可以微调晶振的振荡频率,不过如果你测了几片晶振,频率有大有小,而且偏移较大,那么这个晶振就是不合格的。对于这电容来说,大家应该再熟悉不过了,基本上,没有一个带有微处理器的电路都至少有一个带有起振电容的电路。虽然,大多是情况下,我们都是按照经验选择这两个电容。实际上,这样不科学,有的时候晶振并不会工作。所以,选择合适是起振电容还是很有必要的。实际上,不同的晶振,起需要的起振电容是不同的,在购买晶振时应该选择合适的晶振,一般来说在晶振的数据手册上也提供了选择起振电容的依据。
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