安徽光敏管和光敏电阻的区别
分类，一般用数字表示，个别类型用字母表示，表示产品属于什么类型。1-普通、2-普通、3-超高频、4-高阻、5-高温、6-精密、7-精密、8-高压、9-、G-高功率、T-可调。序号，用数字表示，表示同类产品中不同品种，以区分产品的外型尺寸和性能等例如:RT11型普通碳膜电阻线绕电阻器:通用线绕电阻器、精密线绕电阻器、大功率线绕电阻器、高频线绕电阻器。薄膜电阻器:碳膜电阻器、合成碳膜电阻器、金属膜电阻器、金属氧化膜电阻器、化学沉积膜电阻器、玻璃釉膜电阻器、金属氮化膜电阻器。
安徽光敏管和光敏电阻的区别
电路的电源开关接通后,+5V直流电压通过电阻R1对电容C1充电,这样在电源接通瞬间电容Cl两端没有电压(因为电容两端的电压不能突变),随着对电容Cl的充电,集成电路Al的脚上的电压开始升高,这样可在Al的脚上产生一个时间长的复位脉冲,时间常数一般为0.2s.随着+5V直流电压的充电,Al的脚上的电压达到了一定值,集成电路Al内部电路均可建立起初始状态,复位工作完成,CPU进入初始的正常工作状态。这一复位电路的目的:使集成电路Al的复位引脚①脚上直流电压的建立滞后于集成电路Al的+5V直流工作电压规定的时间,如图5-69所示的电压波形可以说明这一问题。
安徽光敏管和光敏电阻的区别
在N型锗或硅的单晶片上，通过合金铟、铝等金属的方法制作PN结而形成的。正向电压降小，适于大电流整流。因其PN结反向时静电容量大，所以不适于高频检波和高频整流。在高温的P型杂质气体中，加热N型锗或硅的单晶片，使单晶片表面的一部变成P型，以此法PN结。因PN结正向电压降小，适用于大电流整流。近，使用大电流整流器的主流已由硅合金型转移到硅扩散型。PN结的制作方法虽然与扩散型相同，但是，只保留PN结及其必要的部分，把不必要的部分用品腐蚀掉。其剩余的部分便呈现面形，因而得名。初期生产的台面型，是对半导体材料使用扩散法而制成的。因此，又把这种台面型称为扩散台面型。对于这一类型来说，似乎大电流整流用的产品型号很少，而小电流开关用的产品型号却很多。
光电二极管是在反向电压作用下工作的，没有光照时，反向电流极其微弱（一般小于0.1微安），叫暗电流；有光照时，反向电流迅速增大到几十到上百微安，称为光电流。光的强度越大，反向电流也越大。光的变化引起光电二极管电流变化，这就可以把光信号转换成电信号，成为光电传感器件。