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对于场效应管来说,在大学期间老师基本没有讲,让自己自学。到了工作的时候,我们发现场效应管应用还是比较广泛的。其实场效应管和三管还是很相似的。在很多应用中,甚至可以直接贴换三管。场效应晶体管(FieldEffectTransistor缩写(FET))简称场效应管。由多数载流子参与导电,也称为单型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(10^7~10^12Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、工作区域宽等优点,现已成为双型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
如果表针在左端不动,则管子内部已经断路硅管:表针在左端基本不动,靠近OO位置,锗管:表针从左端起动一点,但不应超过满刻度的1/4,则表明反向特性是好的,如果表针指在0位,则管子内部已短路普通发光二管的检测用万用表检测。利用具有×10k挡的指针式万用表可以大致判断发光二管的好坏。正常时,二管正向电阻阻值为几十至200k,反向电阻的值为。如果正向电阻值为0或为,反向电阻值很小或为0,则易损坏。这种检测方法,不能实地看到发光管的发光情况,因为×10k挡不能向LED提供较大正向电流。如果有两块指针万用表(好同型号)可以较好地检查发光二管的发光情况。
具体公式不用细想,我们可以从中得知负载电容的减小可以使实际频率Fx变大,我们可以改变的只有Cg和Cd,通过初步的计算发现CL改变1pF,Fx可以改变几百Hz。原有电路使用的是33pF的两个电容,则并联起来是16.5pF,我们的贴片电容只有27pF,33pF,39pF,所以我们选用了27pF和39pF并联,则电容为15.95pF。电容焊好后,测量比原来大了200多赫兹,落在了设计范围内。
光电二极管是在反向电压作用下工作的,没有光照时,反向电流极其微弱(一般小于0.1微安),叫暗电流;有光照时,反向电流迅速增大到几十到上百微安,称为光电流。光的强度越大,反向电流也越大。光的变化引起光电二极管电流变化,这就可以把光信号转换成电信号,成为光电传感器件。
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