重庆插件光敏二极管内部结构

　　重庆插件光敏二极管内部结构

　　电压有一微小的增加，反向电流亦会猛增（反向击穿曲线很徒直）这时，二管处于击穿状态，如果把击穿电流限制在一定的范围内，管子就可以长时间在反向击穿状态下稳定工作。硅稳压管伏安特性曲线?变容二管变容二管是利用PN结的电容随外加偏压而变化这一特性制成的非线性电容元件，被广泛地用于参量放大器，电子调谐及倍频器等微波电路中，变容二管主要是通过结构设计及工艺等一系列途径来突出电容与电压的非线性关系，并提高Q值以适合应用。

　　光敏二极管是将光信号变成电信号的半导体器件。它的核心部分也是一个PN结，和普通二极管相比，在结构上不同的是，为了便于接受入射光照，PN结面积尽量做的大一些，电极面积尽量小些，而且PN结的结深很浅，一般小于1微米。

　　重庆插件光敏二极管内部结构

　　是sipn的封装，比较常用的就是阻值502和103的9脚的电阻排；象sip9就是8个电阻封装在一起，8个电阻有一端连在一起，就是公共端，在排电阻上用一个小白点表示。排电阻通常为黑，也有黄；51系统的P0需要一个排电阻上拉，否则，作为输入的时候，不能正常读入数据；作为输出的时候，接7407是可以的，不需要上拉电阻；但是，接其它的芯片，还是不行。有兴趣可以看看51的P0的结构；没有兴趣，依葫芦画瓢，照做没错。

　　重庆插件光敏二极管内部结构

　　当线圈中有电流通过时，线圈的周围就会产生磁场。当线圈中电流发生变化时，其周围的磁场也产生相应的变化，此变化的磁场可使线圈自身产生感应电动势（感生电动势）（电动势用以表示有源元件理想电源的端电压），这就是自感。两个电感线圈相互靠近时，一个电感线圈的磁场变化将影响另一个电感线圈，这种影响就是互感。互感的大小取决于电感线圈的自感与两个电感线圈耦合的程度，利用此原理制成的元件叫做互感器。电感单位:亨（H）、毫亨（mH）、微亨（μH），换算关系为1H=10^3mH=10^6μH=10^9nH。换算:数值X10的n次方如103即为10X10的三次方nh为10uh除此外还有一般电感和精密电感之分一般电感:误差值为20%，用M表示；误差值为10%，用K表示。精密电感:误差值为5%，用J表示；误差值为1%，用F表示。如:100M，即为10μH，误差20%。