浙江光耦和光敏电阻的区别

　　浙江光耦和光敏电阻的区别

　　当照在光敏电阻上的光强变化时，电阻值也在变化。显然这是半导体材料的特性。使用光敏电阻可以检测光强的变化。电阻的封装有表面贴和轴向的封装。轴向封装有:axial0.4、axial0.6、axial0.8等等；axial在英语中就是轴的意思；表面贴电阻的封装常用的就是0805；当然还有更大的；但是更大的电阻不是很常用的。电阻作为限流应该是常用的应用之一，对于单片机外围设计来说，电阻的应用重要，在很多时候，我们在单片机的I/O端口上连接一个限流电阻，外围电路不会应用短路、过载等原因烧坏单片机的I/O端口，甚至整个单片机。

　　浙江光耦和光敏电阻的区别

　　中和电容:并接在三管放大器的基与发射之间，构成负反馈网络，以抑制三管间电容造成的自激振荡。稳频电容:在振荡电路中，起稳定振荡频率的作用。定时电容:在RC时间常数电路中与电阻R串联，共同决定充放电时间长短的电容。加速电容:接在振荡器反馈电路中，使正反馈过程加速，提高振荡信号的幅度。缩短电容:在UHF高频头电路中，为了缩短振荡电感器长度而串联的电容。克拉波电容:在电容三点式振荡电路中，与电感振荡线圈串联的电容，起到消除晶体管结电容对频率稳定性影响的作用。

　　所有类型的光传感器都可以用来检测突发的光照，或者探测同一电路系统内部的发光。光电二极管常常和发光器件（通常是发光二极管）被合并在一起组成一个模块，这个模块常被称为光电耦合元件。

　　浙江光耦和光敏电阻的区别

　　下面的继电器开关电路当开关的负载为继电器或电动机等电感性负载时，在截断流过负载的电流时（晶体管进入截止状态）会产生反向电动势。这时产生的电压大。当这种电压超过晶体管的集电-基间、集电-发射机间电压的大额定值Vcbo、Vceo时，晶体管将会被击穿。并联续流二管后，而与二管与继电器形成闭合回路，可以放掉继电器线圈产生的高达140V的反向电压，从而集电电位不高于电源电压的0.6V，而晶体管被击穿。