青海插件光敏二极管大全

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　　半导体三管又称“晶体三管”或“晶体管”。在半导体锗或硅的单晶上制备两个能相互影响的PN结，组成一个PNP（或NPN）结构。中间的N区（或P区）叫基区，两边的区域叫发射区和集电区，这三部分各有一条电引线，分别叫基B、发射E和集电C，是能起放大、振荡或开关等作用的半导体电子器件。晶体三管（以下简称三管）按材料分有两种:锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用多的是硅NPN和锗PNP两种三管，（其中，N表示在高纯度硅中加入磷，是指取代一些硅原子，在电压刺激下产生自由电子导电，而p是加入硼取代硅，产生大量空穴利于导电）。两者除了电源性不同外，其工作原理都是相同的，下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。对于NPN管，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间形成的PN结称为发射结，而集电区与基区形成的PN结称为集电结，三条引线分别称为发射e、基b和集电c。

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　　额定功率:在正常的大气压力90-106.6KPa及环境温度为－55℃～＋70℃的条件下，电阻器长期工作所允许耗散的大功率。线绕电阻器额定功率系列为（W）:1/20、1/8、1/4、1/2、1、2、4、8、10、16、25、40、50、75、100、150、250、500非线绕电阻器额定功率系列为（W）:1/20、1/8、1/4、1/2、1、2、5、10、25、50、100额定电压:由阻值和额定功率换算出的电压。高工作电压:允许的大连续工作电压。在低气压工作时，高工作电压较低。温度系数:温度每变化1℃所引起的电阻值的相对变化。温度系数越小，电阻的稳定性越好。阻值随温度升高而增大的为正温度系数，反之为负温度系数。老化系数:电阻器在额定功率长期负荷下，阻值相对变化的百分数，它是表示电阻器寿命长短的参数。电压系数:在规定的电压范围内，电压每变化1伏，电阻器的相对变化量。

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　　光电二极管与其他类型的光探测器一样，在诸如光敏电阻、感光耦合元件以及光电倍增管等设备中有着广泛应用。它们能够根据所受光的照度来输出相应的模拟电信号（例如测量仪器）或者在数字电路的不同状态间切换（例如控制开关、数字信号处理）。

　　和三管一样场效应管也可以应用在放大电路中，而且和三管是放大基本一致，其放大原理如下:和三管一样，场效应管的放大也是通过电源实现的，而不是信号自己放大。与三管对比我们发现三管是通过电流控制放大的，而场效应管则是通过电压放大的。场效应管的开关电路和三管的开关电路一样，都是可以从放大电路变化而得。这里不在说明其变化过程。同样把负载放置在Rd的位置。对于偏置电阻的确定，需要注意:其作用和三管的上下拉电阻一样，用于确定栅的电平状态，取值一般没有要求，大都取1M。