上海全波谱光敏管pc817

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　　面接触型或称面积型二管的PN结是用合金法或扩散法做成的，由于这种二管的PN结面积大，可承受较大电流，但间电容也大。这类器件适用于整流，而不宜用于高频率电路中。键型二管是在锗或硅的单晶片上熔接或银的细丝而形成的。其特性介于点接触型二管和合金型二管之间。与点接触型相比较，虽然键型二管的PN结电容量稍有增加，但正向特性优良。多作开关用，有时也被应用于检波和电源整流（不大于50mA）。在键型二管中，熔接金丝的二管有时被称金键型，熔接银丝的二管有时被称为银键型。

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　　究竟指的是什么？在看一些元器件的DATASHEET文件时，经常会碰到元器件的参数，IOL,IOH,IIL,IIH,我也知道他们指的是输入输出高低电平时的大小电流，但在连接时他们之间的匹配问题一直很模糊，如:IOL=1.5MA;IOH=-300UA你所说的个器件表示在输出低电平的时候可以吸收（流入）1.5mA电流，输出为高电平的时候，可以输出300uA电流。第二个器件表示在输入低的时候会流出100uA电流，输入高的时候将吸收10uA电流。|IOL|>|IIL|，|IOH|>|IIH|，就表示输出器件可以带动输入器件。

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　　光电二极管与其他类型的光探测器一样，在诸如光敏电阻、感光耦合元件以及光电倍增管等设备中有着广泛应用。它们能够根据所受光的照度来输出相应的模拟电信号（例如测量仪器）或者在数字电路的不同状态间切换（例如控制开关、数字信号处理）。

　　半导体三管又称“晶体三管”或“晶体管”。在半导体锗或硅的单晶上制备两个能相互影响的PN结，组成一个PNP（或NPN）结构。中间的N区（或P区）叫基区，两边的区域叫发射区和集电区，这三部分各有一条电引线，分别叫基B、发射E和集电C，是能起放大、振荡或开关等作用的半导体电子器件。晶体三管（以下简称三管）按材料分有两种:锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用多的是硅NPN和锗PNP两种三管，（其中，N表示在高纯度硅中加入磷，是指取代一些硅原子，在电压刺激下产生自由电子导电，而p是加入硼取代硅，产生大量空穴利于导电）。两者除了电源性不同外，其工作原理都是相同的，下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。对于NPN管，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间形成的PN结称为发射结，而集电区与基区形成的PN结称为集电结，三条引线分别称为发射e、基b和集电c。