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通常小容量的电容器是0.01~0.1uF的陶瓷电容器(薄膜电容器为NG),大容量的电容器是1~100uF的铝电解电容。在实际应用中,小容量电容器常取104电容,大容量电容器常取10uF电容。从惯上来说,旁路电容也有大小两个电容,形成两条通路,也电路的性。电源是使电路进行工作的基础,因此,旁路电容可以认为是电路工作的“保险金”。在电路图中,一定要添加旁路电容,所以,从一个人的对旁路电容的应用,是布就可以看出,其是否是高手了。
光敏二极管是将光信号变成电信号的半导体器件。它的核心部分也是一个PN结,和普通二极管相比,在结构上不同的是,为了便于接受入射光照,PN结面积尽量做的大一些,电极面积尽量小些,而且PN结的结深很浅,一般小于1微米。
电位器就是可调电阻。它的阻值在1~nΩ之间变化。如N=102=10×10的2次方,也就是1000欧姆,1KΩ。同理,502=5KΩ。电位器又分单圈和多圈电位器。单圈的电位器通常为灰白,面上有一个十字可调的旋纽,出厂前放在一个固定的位置上,不在2头;多圈电位器通常为蓝,调节的旋纽为一字,一字小改锥可调;多圈电位器又分成顶调和侧调2种,主要是电路板调试起来方便。有些是仪器仪表设备,通常是模拟电路,有一些不确定的因素,需要调节才能达到理想的效果;有些是设备本身就需要输出一个可变的东西,如电压和电流,也需要一个电位器。
合金扩散型二管它是合金型的一种。合金材料是容易被扩散的材料。把制作的材料通过巧妙地掺配杂质,就能与合金一起过扩散,以便在已经形成的PN结中获得杂质的恰当的浓度分布。此法适用于制造高灵敏度的变容二管。用外延面长的过程制造PN结而形成的二管。制造时需要的技术。因能随意地控制杂质的不同浓度的分布,故适宜于制造高灵敏度的变容二管。基本原理是:在金属(例如铅)和半导体(N型硅片)的接触面上,用已形成的肖特基来阻挡反向电压。肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。其耐压程度只有40V左右。其特长是:开关速度快:反向恢复时间trr地短。因此,能制作开关二和低压大电流整流二管。
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