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新疆光敏管817参数
如果表针在左端不动,则管子内部已经断路硅管:表针在左端基本不动,靠近OO位置,锗管:表针从左端起动一点,但不应超过满刻度的1/4,则表明反向特性是好的,如果表针指在0位,则管子内部已短路普通发光二管的检测用万用表检测。利用具有×10k挡的指针式万用表可以大致判断发光二管的好坏。正常时,二管正向电阻阻值为几十至200k,反向电阻的值为。如果正向电阻值为0或为,反向电阻值很小或为0,则易损坏。这种检测方法,不能实地看到发光管的发光情况,因为×10k挡不能向LED提供较大正向电流。如果有两块指针万用表(好同型号)可以较好地检查发光二管的发光情况。
和三管一样场效应管也可以应用在放大电路中,而且和三管是放大基本一致,其放大原理如下:和三管一样,场效应管的放大也是通过电源实现的,而不是信号自己放大。与三管对比我们发现三管是通过电流控制放大的,而场效应管则是通过电压放大的。场效应管的开关电路和三管的开关电路一样,都是可以从放大电路变化而得。这里不在说明其变化过程。同样把负载放置在Rd的位置。对于偏置电阻的确定,需要注意:其作用和三管的上下拉电阻一样,用于确定栅的电平状态,取值一般没有要求,大都取1M。
所有类型的光传感器都可以用来检测突发的光照,或者探测同一电路系统内部的发光。光电二极管常常和发光器件(通常是发光二极管)被合并在一起组成一个模块,这个模块常被称为光电耦合元件。
管子不导通处于“死区”状态,当正向电压起过一定数值后,管子才导通,电压再稍微增大,电流急剧暗加(见曲线I段)。不同材料的二管,起始电压不同,硅管为0.5-.7伏左右,锗管为0.1-0.3左右。反向特性二管两端加上反向电压时,反向电流很小,当反向电压逐渐增加时,反向电流基本保持不变,这时的电流称为反向饱和电流(见曲线II段)。不同材料的二管,反向电流大小不同,硅管约为1微安到几十微安,锗管则可高达数百微安,另外,反向电流受温度变化的影响很大,锗管的稳定性比硅管差。击穿特性当反向电压增加到某一数值时,反向电流急剧增大,这种现象称为反向击穿(见曲线III)。这时的反向电压称为反向击穿电压,不同结构、工艺和材料制成的管子,其反向击穿电压值差异很大,可由1伏到几百伏,甚至高达数千伏。
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