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海南光敏管和光敏电阻的区别
当照在光敏电阻上的光强变化时,电阻值也在变化。显然这是半导体材料的特性。使用光敏电阻可以检测光强的变化。电阻的封装有表面贴和轴向的封装。轴向封装有:axial0.4、axial0.6、axial0.8等等;axial在英语中就是轴的意思;表面贴电阻的封装常用的就是0805;当然还有更大的;但是更大的电阻不是很常用的。电阻作为限流应该是常用的应用之一,对于单片机外围设计来说,电阻的应用重要,在很多时候,我们在单片机的I/O端口上连接一个限流电阻,外围电路不会应用短路、过载等原因烧坏单片机的I/O端口,甚至整个单片机。
光敏二极管是在反向电压作用之下工作的。没有光照时,反向电流很小(一般小于0.1微安),称为暗电流。当有光照时,携带能量的光子进入PN结后,把能量传给共价键上的束缚电子,使部分电子挣脱共价键,从而产生电子---空穴对,称为光生载流子。
半导体三管又称“晶体三管”或“晶体管”。在半导体锗或硅的单晶上制备两个能相互影响的PN结,组成一个PNP(或NPN)结构。中间的N区(或P区)叫基区,两边的区域叫发射区和集电区,这三部分各有一条电引线,分别叫基B、发射E和集电C,是能起放大、振荡或开关等作用的半导体电子器件。晶体三管(以下简称三管)按材料分有两种:锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式,但使用多的是硅NPN和锗PNP两种三管,(其中,N表示在高纯度硅中加入磷,是指取代一些硅原子,在电压刺激下产生自由电子导电,而p是加入硼取代硅,产生大量空穴利于导电)。两者除了电源性不同外,其工作原理都是相同的,下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。对于NPN管,它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成,发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射e、基b和集电c。
如果表针在左端不动,则管子内部已经断路硅管:表针在左端基本不动,靠近OO位置,锗管:表针从左端起动一点,但不应超过满刻度的1/4,则表明反向特性是好的,如果表针指在0位,则管子内部已短路普通发光二管的检测用万用表检测。利用具有×10k挡的指针式万用表可以大致判断发光二管的好坏。正常时,二管正向电阻阻值为几十至200k,反向电阻的值为。如果正向电阻值为0或为,反向电阻值很小或为0,则易损坏。这种检测方法,不能实地看到发光管的发光情况,因为×10k挡不能向LED提供较大正向电流。如果有两块指针万用表(好同型号)可以较好地检查发光二管的发光情况。
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