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苏州继电器光耦生产厂家
高一般光耦的开关速度。因为光耦本身存在的分布电容,对传输速度形成影响,光敏三管内部存在着分布电容Cbe和Cce。因为光耦的电流传输比较低,其集电负载电阻不能太小,不然输出电压的摆幅就受到了约束。可是,负载电阻又不宜过大,负载电阻RL越大,因为分布电容的存在,光电耦合器的频率特性就越差,传输延时也越长。用2只光电耦合器T1,T2接成互补推挽式电路,能够进步光耦的开关速度。当脉冲上升为“1”电平常,T1截止,T2导通。相反,当脉冲为“0”电平常,T1导通,T2截止。这种互补推挽式电路的频率特性大大优于单个光电耦合器的频率特性。
设输入端电压为Vin,输出端电压为Vout,光耦的两个电流传递系数分别为K1、K2,显然,,和之间的关系取决于和之间的关系。将前级运放的电路提出来看,如下图所示:设运放负端的电压为,运放输出端的电压为,在运放不饱和的情况下二者满足下面的关系:Vo=Voo-GVi(1)其中是在运放输入差模为0时的输出电压,G为运放的增益,一般比较大。忽略运放负端的输入电流,可以认为通过R1的电流为IP1,根据R1的欧姆定律得:
由于光电耦合器的输入阻抗与一般干扰源的阻抗相比较小,因此分压在光电耦合器的输入端的干扰电压较小,它所能提供的电流并不大,不易使半导体二极管发光;由于光电耦合器的外壳是密封的,它不受外部光的影响;光电耦合器的隔离电阻很大(约1012Ω)、隔离电容很小(约几个pF)所以能阻止电路性耦合产生的电磁干扰。
正向压降VF:二管通过的正向电流为规定值时,正负之间所产生的电压降。正向电流IF:在被测管两端加一定的正向电压时二管中流过的电流。反向电流IR:在被测管两端加规定反向工作电压VR时,二管中流过的电流。反向击穿电压VBR::被测管通过的反向电流IR为规定值时,在两间所产生的电压降。结电容CJ:在规定偏压下,被测管两端的电容值。反向击穿电压V(BR)CEO:发光二管开路,集电电流IC为规定值,集电与发射集间的电压降。
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