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按通道可分为单通道、双通道和多通道光电耦合器。按隔离特性可分为普通隔离光电耦合器(一般光胶小于5000v,空封小于2000v)和高压隔离光电耦合器(可分为10kV、20kV、30kV等。).按工作电压分为低电源电压型光电耦合器(一般5~15V)和高电源电压型光电耦合器(一般30V以上)。光电耦合的主要特征如下:出端之间缘,其缘电阻一般都大于10000MΩ,耐压一般可超过1kV,有的甚至可以达到10kV以上。
当拉长加热的光纤时,纤芯直径会减少,因为有(其中,2a=d是光纤的纤芯直径,λ是工作波长,n和Δ分别是平均折射率和相对折射率),则V值变小。而V值越小,模场直径(MFD)超过光纤纤芯直径就越多。因此,纤芯直径减小使一个光模式的很多部分在包层中被耦合到其他光纤的纤芯中去了。随输入模式的模场直径在下行渐细区变得越来越大,耦合过程逐渐发生。在耦合区内,由于两个纤芯靠得常接近,则光模从一个纤芯耦合到另一个纤芯,在上行渐细区光纤直径增大,光模式越来越多地被限制在纤芯内,两个分离的模式从两根分开的光纤输出。
由于光电耦合器的输入阻抗与一般干扰源的阻抗相比较小,因此分压在光电耦合器的输入端的干扰电压较小,它所能提供的电流并不大,不易使半导体二极管发光;由于光电耦合器的外壳是密封的,它不受外部光的影响;光电耦合器的隔离电阻很大(约1012Ω)、隔离电容很小(约几个pF)所以能阻止电路性耦合产生的电磁干扰。
假设确定Vcc=5V,输入在0-4V之间,输出等于输入,采用LMV321运放芯片以及上面电路,下面给出参数确定的过程。确定IFmax:HCNR200/201的手册上推荐器件工作的25mA左右;确定R3:R3=5V/25mA=200;确定R2:R2=R1=32K。线性光耦在电流采样中的应用在现代电气测量和控制中,常常需要用低压器件去测量。控制高电压。强电流等模拟量,如果模拟量与数字量之间没有电气隔离,那么,高电压。强电流很容易串入低压器件,并将其烧毁。线性光耦HCNR200可以较好地实现模拟量与数字量之间的隔离,隔离电压峰值达8000V;输出跟随输入变化,线性度达0.01%。
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