黄山达林顿光耦价格

　　黄山达林顿光耦价格

　　入出间隔离电压VIO:光耦合器输入端和输出端之间缘耐压值。集-发击穿电压（BR）CEO-55～150-55～125A=25℃±3℃)VIO=500VCC=5V，IFP=10mA，RL=360Ωf=10kHz，D:1/2VCC=5V，IF=10mA，RL=200Ω集-发饱和电压VCE（sat）VCC=5V，IF=10mA，RL=4.7kΩ集-发截止电流CE=5V，IF=0“潮光光耦网”专注品牌光电耦合器。国内首家专注光电耦合器的平台。光耦电路即光电耦合器一般由三部分组成，光的发射、光的接收及信号放大。输入的电信号驱动发光二管（LED），使之发出一定波长的光，被光探测器接收而产生光电流，再经过进一步放大后输出。这就完成了电—光—电的转换，从而起到输入、输出、隔离的作用。在光耦电路设计中，有两个参数需要格外注意，一个是反向电压Vr，是指原边发光二管所能承受的大反向电压，超过此反向电压，可能会损坏LED。而一般光耦中，这个参数只有5V左右，在存在反压或振荡的条件下使用时，要注意不要超过反向电压。

　　光电导模式下的电流检测电路设计工作在光电导模式下的检测电流电路如图2所示，信号为正性输入，正性输出。隔离电路中，R1调节初级运算放大器的输入偏置电流的大小，C1起反馈作用，同时滤除了电路中的毛刺信号，避免HCNR200中的铝砷化镓发光二管(LED)受到意外的冲击。但是，随着频率的提高，阻抗将变小，HCNR200的初级电流增大，增益随之变大，因而，C1的引入对通道在高频时的增益有一定影响，虽然减小C1的值可以拓展带宽，但是，会影响初级运算放大器的增益，同时，初级运算放大器输出的较大毛刺信号不易被滤除。R3可以控制LED的发光强度，对控制通道增益起一定作用。

　　在输出端，按比例产生电压以进一步控制电路的下一级。线性光耦合器由发光二管和光阻器组成。光耦合器由电流驱动，需要大的电流才能使LED导通。如果输入信号太小，LED将不会打开，其输出信号将失真。在开关电源中，是在数字开关电源中，可以使用线性光耦合器来形成光耦合器反馈电路。通过调节控制电流可以改变占空比，达到稳压的目的。光耦合器的主要技术参数有LED正向压降VF、正向电流中频、电流传输比CTR、输入级和输出级之间的缘电阻、集电-发射反向击穿电压V（BR）CEO、集电-发射饱和电压降VCE（sat）。此外，在数字信号的传输中应考虑上升时间、下降时间、延迟时间和存储时间等参数。

　　光耦在电路中有很多奇葩的用法，但最主流的用法就是用来隔离信号。隔离数字信号和模拟信号。这两个要求大相径庭。数字信号往往要求低延时，Tpd要小。模拟信号除了带宽就是精确度的要求。但应用千差万别，各种不同的应用参数侧重点不同。