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在这种配置中,基于光电晶体管的光耦合器可以与微控制器一起用于检测脉冲或中断。用于检测交流电压的光耦合器:用于检测交流电压的光耦合器这里显示了另一个电路来检测交流电压。红外线LED使用两个100k电阻控制,使用两个100k电阻代替一个200k电阻是为了在短路相关条件下提供额外的性。LED连接在墙上插座线(L)和中性线(N)上。当按下S1时,LED开始发射红外线。光电晶体管做出响应并将VOUT从5V转换为0V。
根本作业特性(以光敏三管为例)共模按捺比很高在光电耦合器内部,因为发光管和受光器之间的耦合电容很小(2pF以内)所以共模输入电压经过间耦合电容对输出电流的影响很小,因此共模按捺比很高。光电耦合器的输出特性是指在必定的发光电流IF下,光敏管所加偏置电压VCE与输出电流IC之间的联系,当IF=0时,发光二管不发光,此刻的光敏晶体管集电输出电流称为暗电流,一般很小。当IF>0时,在必定的IF效果下,所对应的IC根本上与VCE无关。IC与IF之间的改变成线性联系,用半导体管特性图示仪测出的光电耦合器的输出特性与一般晶体三管输出特性类似。其测验连线如图2,图中D、C、E三根线别离对应B、C、E,接在仪器插座上。
电阻的选型需要考虑运放的线性范围和线性光耦的大工作电流已知的情况下,又确定了这样,由于Vo的范围小可以为0.考虑到大有利于能量的传输,这样,一般取另外,由于工作在深度负反馈状态的运放满足虚短特性,因此,考虑IPD1的限制,R2的确定可以根据所需要的放大倍数确定,例如如果不需要方法,只需将R2=R1即可。另外由于光耦会产生一些高频的噪声,通常在R2处并联电容,构成低通滤波器,具体电容的值由输入频率以及噪声频率确定。
用数字万用表的PN结测量端,红表笔“电池+极”接光耦的“1”端,黑表笔“电池-极”接光耦的“2”端(即使光耦的发光二极管正向导通),用另一电表测量“3”“4”端电阻,断开或接通输入端(发光二极管端),输出端电阻应有大幅度变化,说明改光耦是好的。
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